品牌/商标 | NXP | 型号/规格 | PCF8576DT |
封装 | TSSOP56 | 批号 | 10+ |
制作工艺 | 半导体集成 | 导电类型 | 双极型 |
规格尺寸 | 28(mm) | 工作温度 | -40~85(℃) |
静态功耗 | 1(mW) | 类型 | 单片机 |
品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IFRP260NPBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 HF/高频(射频)放大 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 200(V) 夹断电压 200(V) 跨导 17(μS) 极间电容 4075(pF) 低频噪声系数 20(dB) 漏极电流 49(mA) 耗散功率 300(mW)
品牌/商标 ON安森美 型号/规格 MBR20100CTG 应用范围 功率 功率特性 中功率 频率特性 中频 极性 NPN型 结构 肖特基 材料 锗(Ge) 封装形式 直插型 封装材料 树脂封装 集电极允许电流ICM 100(A) 营销方式 现货 产品性质 热销