类型 | 单片机 | 品牌/商标 | NXP |
型号/规格 | P89LPC920FDH | 封装 | 20-TSSOP(0.173 4.40mm 宽) |
批号 | 1038 |
P89LPC(920, 921, 922, 9221) |
20-TSSOP,SOT360-1 |
Migrating from 8/16-Bit MCUs to 32-Bit ARMs |
750 |
集成电路 (IC) |
嵌入式 - 微控制器, |
LPC900 |
8051 |
8-位 |
18MHz |
I²C,UART/USART |
欠压检测/复位,LED,POR,PWM,WDT |
18 |
2KB (2K x 8) |
FLASH |
- |
256 x 8 |
2.4 V ~ 3.6 V |
- |
内部 |
-40°C ~ 85°C |
20-TSSOP(0.173", 4.40mm 宽) |
管件 |
622-1014-ND- BOARD FOR LPC9XX TSSOP 622-1008-ND- BOARD FOR LPC9103 10-HVSON 622-1006-ND- SOCKET ADAPTER BOARD 568-4000-ND- DEMO BOARD SPI/I2C TO DUAL UART 568-3510-ND- DEMO BOARD SPI/I2C TO UART 568-1759-ND- EMULATOR DEBUGGER/PROGRMMR LPC9X |
568-1279-5 935274624529 P89LPC920FDH-S |
品牌/商标 NXP 型号/规格 PCF8576DT 封装 TSSOP56 批号 10+ 制作工艺 半导体集成 导电类型 双极型 规格尺寸 28(mm) 工作温度 -40~85(℃) 静态功耗 1(mW) 类型 单片机
品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IFRP260NPBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 HF/高频(射频)放大 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 200(V) 夹断电压 200(V) 跨导 17(μS) 极间电容 4075(pF) 低频噪声系数 20(dB) 漏极电流 49(mA) 耗散功率 300(mW)