品牌/商标 | 进口 | 型号/规格 | K2850,2SK2850 |
种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 耗尽型 | 用途 | MW/微波 |
封装外形 | CHIP/小型片状 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
开启电压 | N(V) | 夹断电压 | N(V) |
跨导 | N(μS) | 极间电容 | N(pF) |
低频噪声系数 | N(dB) | 漏极电流 | N(mA) |
耗散功率 | N(mW) |
品牌/商标 FUI日本富士通 型号/规格 K1937,2SK1937 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 MW/微波 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GaAS-FET砷化镓 开启电压 n(V) 夹断电压 n(V) 跨导 n(μS) 极间电容 n(pF) 低频噪声系数 n(dB) 漏极电流 n(mA) 耗散功率 n(mW)
品牌/商标 进口 型号/规格 K40T120 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 L/功率放大 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 n(V) 夹断电压 n(V) 跨导 n(μS) 极间电容 n(pF) 低频噪声系数 n(dB) 漏极电流 n(mA) 耗散功率 n(mW)