品牌/商标 | FUI日本富士通 | 型号/规格 | K1937,2SK1937 |
种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 耗尽型 | 用途 | MW/微波 |
封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | GaAS-FET砷化镓 |
开启电压 | n(V) | 夹断电压 | n(V) |
跨导 | n(μS) | 极间电容 | n(pF) |
低频噪声系数 | n(dB) | 漏极电流 | n(mA) |
耗散功率 | n(mW) |
品牌/商标 进口 型号/规格 K40T120 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 L/功率放大 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 n(V) 夹断电压 n(V) 跨导 n(μS) 极间电容 n(pF) 低频噪声系数 n(dB) 漏极电流 n(mA) 耗散功率 n(mW)
品牌/商标 进口 型号/规格 K1507 2SK1507 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 MW/微波 封装外形 CHIP/小型片状 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 n(V) 夹断电压 n(V) 跨导 n(μS) 极间电容 n(pF) 低频噪声系数 n(dB) 漏极电流 n(mA) 耗散功率 n(mW) K1507 2SK1507 K1507 2SK1507 K1507 2SK1507 K1507 2SK1507 K1507 2SK1507 K1507 2SK1507 K1507 2SK1507 K1507 2SK1507 K1507 2SK1507 K1507 2SK1507 K1507 2SK1507 K1507 2SK1507 ...