P沟MOSF管FDN338P
| 价 格： | 2.00 |
| 品牌/商标 | 其他 | 型号/规格 | FDN338P |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | P沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | A/宽频带放大 |
| 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 | 材料 | P-FET硅P沟道 |
| 开启电压 | 20（V） | 夹断电压 | 4.5（V） |
| 跨导 | 0（μS） | 极间电容 | 0（pF） |
| 低频噪声系数 | 0（dB） | 漏极电流 | 0（mA） |
| 耗散功率 | 0（mW） |
SOT-23 12V-400V, P沟MOSFET
| FDN338P |
| SOT-23-3 |
| High Voltage Switches for Power Processing SMPS Power Switch |
| Mold Compound Change 07/Dec/2007 Mold Compound Change 08/April/2008 |
| SuperSOT-3, SOT-23 |
| 3,000 |
| 分离式半导体产品 |
| FET - 单路 |
| PowerTrench® |
| MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 逻辑电平门 |
| 115 毫欧 @ 1.6A, 4.5V |
| 20V |
| 1.6A |
| 1.5V @ 250µA |
| 6.2nC @ 4.5V |
| 451pF @ 10V |
| 460mW |
| 表面贴装 |
| TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 3-SSOT |
| 带卷 (TR) |
- 所属城市：广东 深圳
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N沟MOSF管FDN357NBSS138
信息内容：品牌/商标 其他 型号/规格 FDN357NBSS138 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 30（V） 夹断电压 10（V） 跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW） SOT-23 12V-400V, N沟MOSFET数据列表FDN357N产品相片SOT-23-3产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing产品变化通告Mold Compound Change 07/Dec/2007Mold Compound Change 08/April/2008产品目录绘图SuperSOT-3, SOT-23标准包装3,000类别分离式半导体产品...
P沟MOSF管FDN340P
信息内容：品牌/商标 FSC 型号/规格 FDN340P 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 CC/恒流 封装外形 CHIP/小型片状 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 20（V） 夹断电压 20（V） 极间电容 779（pF） 漏极电流 2000（mA） 耗散功率 460（mW）
