产品类型 | 快恢复二极管 | 品牌/商标 | ON/长电 |
型号/规格 | MMBD7000LT1G | 结构 | 平面型 |
材料 | 硅(Si) | 封装形式 | SOT-23 |
封装材料 | 树脂封装 | 功率特性 | 中功率 |
频率特性 | 中频 | 反向电压VR | 100(V) |
正向直流电流IF | 200(mA) |
品牌/商标 MICROCHIP 型号/规格 PIC12F629 封装 SOP-8 批号 0908 类型 单片机
品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRF3205S 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 MOS-FBM/全桥组件 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 55(V) 夹断电压 5(V) 跨导 0.05(μS) 极间电容 211(pF) 低频噪声系数 40(dB) 漏极电流 62000(mA) 耗散功率 750(mW)