2A103J 2A473J 2A金属化纸介电容
| 价 格： | 28.00 |
| 品牌/商标 | 国产 | 型号/规格 | 2A103J 2A223J |
| 介质材料 | 金属化纸介 | 应用范围 | 补偿 |
| 外形 | 长方形 | 调节方式 | 固定 |
| 引线类型 | 同向引出线 | 允许偏差 | ±5（%） |
| 耐压值 | 100（V） | 标称容量 | 103 |
| 额定电压 | 100（V） |
一、电容器的作用 电容器是电子产品中必不可少的一个基本元件，在电路中充当着滤波、振荡、电源退耦、脉动信 号的傍路及
耦合等。
二、电容器的构成 电容器的最简单结构可由两个金属板中间夹一层绝缘介质组成。在两个金属板（极板）间加一个电 压，极板
就能储存电荷。 储存电荷的大小与极板间电压与极板面积（容量）成正比，与极板间的距离成反比。 Q=CV 即
C=Q/V=εS/4πd（《详见薄膜电容器理论计算及修正》） Q—极板上储存的电荷 C—电容器（PF） V—极板间的电压
（V） ε——介质介电常数（聚脂膜为3.0,聚丙稀膜2.1） S—金属极板面积(mm2) d—极板间的距离(mm)
三、电容器的种类 电容器的种类繁多，按其可调节性可分为固定电容器、微调电容器、可变电容器三种；按介质分有 气体介
质、无机固体介质、有机固体介质、电解介质、液体介质及复合介质等电容器。 其中： 气体电容器包括空气、真空、充气
式电容器； 无机固体电容器包括云母、陶瓷及玻璃釉电容器； 有机固体电容器包括有机薄膜及纸介电容器； 电解介质电容
器包括铝电解、铌电解及钽电解电容器； 液体介质电容器包括各种有机油质及液体电容器； 复合介质电容器包括有机固体
复合、无机固体复合、有机固体与无机固体复合制做的电容器。
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场效应管UTC 4N60L TO-252
信息内容：品牌/商标 UTC 型号/规格 4N60L 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 MOS-INM/独立组件 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 600（V） 4 Amps, 600/650 VoltsN-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTIONThe UTC 4N60 is a high voltage MOSFET and is designed tohave better characteristics, such as fast switching time, low gatecharge, low on-state resistance and have a high rugged avalanchecharacteristics. This power MOSFET is usually used at high speedswitching applications in power supplies, PWM motor controls, highefficient DC to DC converters and bridge circuits. FEATURES* RDS(ON) = 2.5Ω @VGS = 10 V* Ultra Low Gate Charge ( typical 15 nC )* Low Reverse Transfer CAPACITANCE ( CRSS = typical 8.0 pF )* Fast Switc...
优质场效应管FDN335N/SP335N
信息内容：品牌/商标 台湾Sipu 型号/规格 FDN335N/SP335N 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 MOS-ARR/陈列组件 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 GaAS-FET砷化镓 General DescriptionThis N-Channel 2.5V specified MOSFET is producedusing Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrenchprocess that has been especially tailored to minimize theon-state resistance and yet maintain low gate charge forsuperior switching performance.Applications• DC/DC converter• Load switchFeatures• 1.7 A, 20 V. RDS(ON) = 0.07 W @ VGS = 4.5 V RDS(ON) = 0.100 W @ VGS = 2.5 V.• Low gate charge (3.5nC typical).• High performance trench technology for extremely low RDS(ON).• High power and current handling c...
