品牌/商标 | ON安森美 | 型号/规格 | PZT651T1 |
应用范围 | 功率 | 材料 | 硅(Si) |
极性 | N/P型 | 结构 | 点接触型 |
封装形式 | 贴片型 | 封装材料 | 塑料封装 |
品牌/商标 VISHAY 型号/规格 SI2307 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 AM/调幅 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 GE-N-FET锗N沟道 P-Channel30-V(D-S)MOSFETSI2301 SI2302 SI2303 SI2304 SI2305 SI2306 SI2307 SI2308SI2300 SOT-23SI2301 SOT-23SI2302 SOT-23SI2305 SOT-23SI2306 SOT-23SI2312 SOT-23-3LSI2314 SOT-23PT9435 SOP-8PT4953 SOP-8PT8205A TSSOP-8PT8205 SOT-23-6LPT4435 SOP-8PT9926 SOP-8PT8822 TSSOP-8AO3400 SOT-23-3LAO3401 SOT-23-3LAO3402 SOT-23XC6206P152MRSOT-23XC6206P302MRSOT-23XC6206P332MRSOT-23XC6206P182MRSOT-23XC6206P282MRSOT-23XC6206P332PRSOT-89-3LXC6204B系列SOT-23-5LPT9193-33PBSOT-23-5LPT9193-28PBSOT-23-5LXC6219B252MRSOT-23-5LXC6219B332MRSOT-23-5LPT9011-MGPJ6SOT-23-6LXC6214P332PRSOT-89-3LXC61CN2702...
品牌/商标 INFINEON 型号/规格 BSS84P 种类 结型(JFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 耗尽型 用途 A/宽频带放大 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 ALGaAS铝镓砷 漏极电流 170(mA) 耗散功率 360(mW) SIPMOS? Small-Signal-TransistorProduct SummaryVDS -60 VRDS(on) 8ID -0.17 AFeatureP-ChannelEnhancement modeLogic LevelAvalanche rateddv/dt ratedMaximum Ratings, at TA = 25 °C, unless otherwise specifiedParameter Symbol Value UnitContinuous drain currentTA=25°CTA=70°CID-0.17-0.14APulsed drain currentTA=25°CID puls -0.68Avalanche energy, single pulseID=-0.17 A , VDD=-25V, RGS=25EAS 2.6 mJAvalanche energy, periodic limited by Tjmax EAR 0.036Reverse di...