品牌/商标 | VISHAY | 型号/规格 | SI2307 |
种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | P沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | AM/调幅 |
封装外形 | SMD(SO)/表面封装 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
P-Channel30-V(D-S)MOSFET
SI2301 SI2302 SI2303 SI2304 SI2305 SI2306 SI2307 SI2308
SI2300 | SOT-23 | |
SI2301 | SOT-23 | |
SI2302 | SOT-23 | |
SI2305 | SOT-23 | |
SI2306 | SOT-23 | |
SI2312 | SOT-23-3L | |
SI2314 | SOT-23 | |
PT9435 | SOP-8 | |
PT4953 | SOP-8 | |
PT8205A | TSSOP-8 | |
PT8205 | SOT-23-6L | |
PT4435 | SOP-8 | |
PT9926 | SOP-8 | |
PT8822 | TSSOP-8 | |
AO3400 | SOT-23-3L | |
AO3401 | SOT-23-3L | |
AO3402 | SOT-23 | |
XC6206P152MR | SOT-23 | |
XC6206P302MR | SOT-23 | |
XC6206P332MR | SOT-23 | |
XC6206P182MR | SOT-23 | |
XC6206P282MR | SOT-23 | |
XC6206P332PR | SOT-89-3L | |
XC6204B系列 | SOT-23-5L | |
PT9193-33PB | SOT-23-5L | |
PT9193-28PB | SOT-23-5L | |
XC6219B252MR | SOT-23-5L | |
XC6219B332MR | SOT-23-5L | |
PT9011-MGPJ6 | SOT-23-6L | |
XC6214P332PR | SOT-89-3L | |
XC61CN2702MR | SOT-23 | |
XC61CN2002MR | SOT-23 | |
XP151A13COMR | SOT-23 | |
XP152A12COMR | SOT-23 | |
FDN335N | SOT-23 | |
FDN338P | SOT-23 |
品牌/商标 INFINEON 型号/规格 BSS84P 种类 结型(JFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 耗尽型 用途 A/宽频带放大 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 ALGaAS铝镓砷 漏极电流 170(mA) 耗散功率 360(mW) SIPMOS? Small-Signal-TransistorProduct SummaryVDS -60 VRDS(on) 8ID -0.17 AFeatureP-ChannelEnhancement modeLogic LevelAvalanche rateddv/dt ratedMaximum Ratings, at TA = 25 °C, unless otherwise specifiedParameter Symbol Value UnitContinuous drain currentTA=25°CTA=70°CID-0.17-0.14APulsed drain currentTA=25°CID puls -0.68Avalanche energy, single pulseID=-0.17 A , VDD=-25V, RGS=25EAS 2.6 mJAvalanche energy, periodic limited by Tjmax EAR 0.036Reverse di...
品牌/商标 合泰 型号/规格 HT7130-1 封装 SOT-89 批号 10+ 制作工艺 半导体集成 导电类型 单极型 工作温度 -40~85(℃) 类型 稳压IC