N沟道增强型功率MOSFET
UTC25N10是一个N沟道增强型功率.它使用MOSFET和UTC的完美的技术,提供设计师
开关速度快,坚固耐用的设备设计,低电阻成本效益。
这是普遍适用于所有的商业,工业应用和DC / DC变换器要求低voltage.N通道增强
型功率MOSFET
60V,30A N沟道功率MOSFETUTC30N06是一个低电压功率MOSFET和设计有更好的特性,如快速开关时间,低栅极电荷,低通态电阻和优异的雪崩特点。这通常用在汽车功率MOSFET电源中的应用,高效的直流到直流转换器电池供电的产品。
50安培,60伏特N沟道功率MOSFETUTC50N06是三端与目前的硅设备传导能力约50A,开关速度快。低通态电阻,60V击穿电压等级,阈值电压为4伏特。它主要适用于电子镇流器和低功率开关模式下的功率电器。