50安培,60伏特N沟道功率MOSFET
UTC50N06是三端与目前的硅设备传导能力约50A,开关速度快。低通态电阻,60V击穿电压等级,阈值电压为4伏特。它主要适用于电子镇流器和低功率开关模式下的功率电器。
60安培,60伏特N沟道功率MOSFETUTC60N06是n沟道增强模式电源领域场效应晶体管关闭状态稳定的特点,快速开关速度,低热阻,通常用于电信和计算机应用。
60安培,75VoltsN-通道功率MOSTFETUTC60N75是n沟道增强模式电源领域场效应晶体管关闭状态稳定的特点,快速开关速度,低热阻,通常用于电信和计算机应用。