让卖家找上门
发布询价>>
您所在的位置:仪器仪表网> 电子元器件>原厂高压MOS管N沟道SSF5N60C

原厂高压MOS管N沟道SSF5N60C

价 格: 1.00

品牌/商标 SOURCESEMI 型号/规格 SSF5N60C
种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 增强型 用途 SW-REG/开关电源
封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道
开启电压 600(V) 夹断电压 450(V)
跨导 30(μS) 极间电容 25(pF)
低频噪声系数 30(dB) 漏极电流 10(mA)
耗散功率 35(mW)

深圳市创明微科技有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 刘玲
  • 电话:0755-84165080
  • 传真:0755-84165080
  • 手机:
  • QQ :
公司相关产品

SFF506AC全塑封标准型快恢复二极管

信息内容:

产品类型 快恢复二极管 品牌/商标 MHCHXM,,, 型号/规格 SFF506AC 结构 点接触型 材料 硅(Si) 封装形式 直插型 封装材料 塑料封装 功率特性 中功率 频率特性 高频 发光颜色 电压控制 LED封装 无色透明封装(T) 出光面特征 微型管 发光强度角分布 标准型 反向电压VR 600(V) 正向直流电流IF 5(A)

详细内容>>

全新原装无铅FUJI场效应管FMR19N60E

信息内容:

品牌/商标 FUI日本富士通 型号/规格 FMR19N60E 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 UHF/超高频 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 600(V) 夹断电压 ***(V) 跨导 ***(μS) 极间电容 ***(pF) 低频噪声系数 ***(dB) 漏极电流 ***(mA) 耗散功率 ***(mW) FMR19N60E TO3P FUJI 19A 600V 全新原装无铅! 欢迎选购! 最小包装:500PCS/盒 联系人:刘玲 电话: 13510589034 18926063500 QQ: 767160818 深圳市创明微科技有限公司为供应...

详细内容>>

相关产品