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全新原装无铅FUJI场效应管FMR19N60E

价 格: 6.80

品牌/商标 FUI日本富士通 型号/规格 FMR19N60E
种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 增强型 用途 UHF/超高频
封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道
开启电压 600(V) 夹断电压 ***(V)
跨导 ***(μS) 极间电容 ***(pF)
低频噪声系数 ***(dB) 漏极电流 ***(mA)
耗散功率 ***(mW)

FMR19N60E  TO3P  FUJI  19A 600V

 

全新原装无铅! 欢迎选购!

 

最小包装:500PCS/盒

 

联系人:刘玲

 

电话: 13510589034   18926063500

 

QQ: 767160818

 

深圳市创明微科技有限公司为供应韩国系列MOS管,品牌覆盖:TRUESEMI(信安)/SOURCESEMI(索森美)/Magnachip(美格纳)/FAIRCARD(仙凯)等,以上常备现货,欢迎选购  

【常见封装】 

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【公司介绍】

    深圳市创明微科技有限公司- 13510589034刘小姐-场效应管、肖特基、电源管理IC、快恢复二极管等相关产业技术方案的推广和器件代理业务。

 

【其他产品】

详见:http://vickyliuling.cn.alibaba.com/

 

【品质承诺】

   所有产品保证为:全新原装!假一赔十!

 

 

 

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深圳市创明微科技有限公司
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信息内容:

品牌/商标 FUI日本富士通 型号/规格 2SK3528 19N60 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 开启电压 600(V) 夹断电压 50(V) 跨导 300(μS) 极间电容 10(pF) 低频噪声系数 150(dB) 漏极电流 30(mA) 耗散功率 60(mW) 2SK3528 TO3P 17A 600V N 沟道MOSFET替代料: 19A 600V N 沟道,, FUJI 全新原装无铅! 深圳市创明微科技有限公司 只做原装,只有原装!!!欢迎选购 1351058903418926063500 刘小姐 QQ: 767160818 深圳市创明微科技有限公司为供应韩国系列MOS管,品牌覆盖:TRUESEMI(信安)/SOURCESEMI(索森美)/Magnachip(美格纳)/FAIRCARD(仙凯)等,以上常备现货,欢迎选购...

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