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贴片三极管 B772

价 格: 280.00

品牌/商标 长电 型号/规格 B772
应用范围 放大 功率特性 大功率
频率特性 高频 极性 PNP型
结构 面接触型 材料 硅(Si)
封装形式 贴片型 封装材料 金属封装
截止频率fT 50(MHz) 集电极允许电流ICM 3000(A)
集电极耗散功率PCM 500(W) 营销方式 代理
产品性质 热销

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors
B772 TRANSISTOR (PNP)
FEATURES
Power dissipation PCM:
625 mW (Tamb=25℃)
Collector current I
CM:
-3 A
Collector-base voltage
(BR)CBO
: -40 V
Operating and storage junction temperature range
: -55℃ to +150℃
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)
Parameter Symbol Test conditions MIN TYP MAX UNIT
Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO Ic=-100?A ,IE=0 -40 V
Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO IC= -10 mA , IB=0 -30 V
Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE= -100?A, IC=0 -6 V
Collector cut-off current ICBO VCB= -40 V, IE=0 -1 ?A
Collector cut-off current ICEO VCE=-30 V, IB=0 -10 ?A
Emitter cut-off current IEBO VEB=-6V, IC=0 -1 ?A
FE(1)V
CE
= -2V, IC
= -1A 60 400
DC current gain h
FE(2)V
CE
=-2V, IC
= -100mA 32
Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) IC=-2A, IB= -0.2A -0.5 V
Base-emitter saturation voltage VBE(sat) IC=-2A, IB= -0.2A -1.5 V
Transition frequency f
CE
= -5V, IC
=-0.1A
f = 10MHz
50 MHz
CLASSIFICATION OF h
FE(1)
Rank R O Y GR
Range 60-120 100-200 160-320 200-400
1 2 3
TO-92
1. EMITTER
2. COLLECTOR
3. BASE
123

东莞市灿域电子有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 东莞
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 陈逢元
  • 电话:769-83430490
  • 传真:769-83430490
  • 手机:
  • QQ :
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品牌/商标 长电 型号/规格 S8550 应用范围 放大 功率特性 大功率 频率特性 超高频 极性 PNP型 结构 点接触型 材料 硅(Si) 封装形式 贴片型 封装材料 金属封装 截止频率fT 150(MHz) 集电极允许电流ICM 500(A) 集电极耗散功率PCM 300(W) 营销方式 代理 产品性质 热销 FEATURESPower dissipationPCM: 0.625 W(Tamb=25℃)Collector currentICM: 0.5 ACollector-base voltageV(BR)CBO: 40 VELECTRICAL CHARACTERISTICS(Tamb=25℃ unless otherwise specified)Parameter Symbol Test conditions...

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