品牌/商标 | 长电 | 型号/规格 | B772 |
应用范围 | 放大 | 功率特性 | 大功率 |
频率特性 | 高频 | 极性 | PNP型 |
结构 | 面接触型 | 材料 | 硅(Si) |
封装形式 | 贴片型 | 封装材料 | 金属封装 |
截止频率fT | 50(MHz) | 集电极允许电流ICM | 3000(A) |
集电极耗散功率PCM | 500(W) | 营销方式 | 代理 |
产品性质 | 热销 |
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors
B772 TRANSISTOR (PNP)
FEATURES
Power dissipation PCM:
625 mW (Tamb=25℃)
Collector current I
CM:
-3 A
Collector-base voltage
(BR)CBO
: -40 V
Operating and storage junction temperature range
: -55℃ to +150℃
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)
Parameter Symbol Test conditions MIN TYP MAX UNIT
Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO Ic=-100?A ,IE=0 -40 V
Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO IC= -10 mA , IB=0 -30 V
Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE= -100?A, IC=0 -6 V
Collector cut-off current ICBO VCB= -40 V, IE=0 -1 ?A
Collector cut-off current ICEO VCE=-30 V, IB=0 -10 ?A
Emitter cut-off current IEBO VEB=-6V, IC=0 -1 ?A
FE(1)V
CE
= -2V, IC
= -1A 60 400
DC current gain h
FE(2)V
CE
=-2V, IC
= -100mA 32
Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) IC=-2A, IB= -0.2A -0.5 V
Base-emitter saturation voltage VBE(sat) IC=-2A, IB= -0.2A -1.5 V
Transition frequency f
CE
= -5V, IC
=-0.1A
f = 10MHz
50 MHz
CLASSIFICATION OF h
FE(1)
Rank R O Y GR
Range 60-120 100-200 160-320 200-400
1 2 3
TO-92
1. EMITTER
2. COLLECTOR
3. BASE
123
品牌/商标 长电 型号/规格 S8550 应用范围 放大 功率特性 大功率 频率特性 超高频 极性 PNP型 结构 点接触型 材料 硅(Si) 封装形式 贴片型 封装材料 金属封装 截止频率fT 150(MHz) 集电极允许电流ICM 500(A) 集电极耗散功率PCM 300(W) 营销方式 代理 产品性质 热销 FEATURESPower dissipationPCM: 0.625 W(Tamb=25℃)Collector currentICM: 0.5 ACollector-base voltageV(BR)CBO: 40 VELECTRICAL CHARACTERISTICS(Tamb=25℃ unless otherwise specified)Parameter Symbol Test conditions...
品牌/商标 法拉 型号/规格 1206 100PF-103PF X7R 介质材料 法拉(超级) 应用范围 晶体管电路 外形 圆片形 功率特性 中功率 频率特性 高频 调节方式 固定 引线类型 轴向引出线 允许偏差 ±5(%) 耐压值 6.3(V) 标称容量 8000 损耗 0.0036 额定电压 12(V) 额定电流 12(A) 积层陶瓷电容器是长年累积材料技术及合理的生产技术制造之高信赖性制品。小型、薄型、轻量、大容量化,寸法精度优,自动装着高生产性佳。残留电感值小,周波数特性良好。绿色制品〈全面无铅制程〉分类:(1) 常规/G...