品牌/商标 | 长电 | 型号/规格 | S8550 |
应用范围 | 放大 | 功率特性 | 大功率 |
频率特性 | 超高频 | 极性 | PNP型 |
结构 | 点接触型 | 材料 | 硅(Si) |
封装形式 | 贴片型 | 封装材料 | 金属封装 |
截止频率fT | 150(MHz) | 集电极允许电流ICM | 500(A) |
集电极耗散功率PCM | 300(W) | 营销方式 | 代理 |
产品性质 | 热销 |
FEATURES
Power dissipation
P
CM
: 0.625 W(Tamb=25℃)
Collector current
I
CM
: 0.5 A
Collector-base voltage
V
(BR)CBO
: 40 V
ELECTRICAL CHARACTERISTICS(Tamb=25℃ unless otherwise specified)
Parameter Symbol Test conditions MIN TYP MAX UNIT
Collector-base breakdown voltage V(BR)
CBO
Ic= 100μA , I
E
=0 40 V
Collector-emitter breakdown voltage V(BR)
CEO
Ic= 0.1 mA, I
B
=0 25 V
Emitter-base breakdown voltage V(BR)
EBO
I
E
= 100μA, I
C
=0 5 V
Collector cut-off current I
CBO
V
CB
= 40 V , I
E
=0 0.1 μA
Collector cut-off current I
CEO
V
CE
= 20 V , I
B
=0 0.2 μA
Emitter cut-off current I
EBO
V
EB
= 3 V, I
C
=0 0.1 μA
H
FE(1)
V
CE
= 1 V, I
C
= 50mA 85 300
DC current gain(note)
H
FE(2)
V
CE
= 1 V, I
C
= 500mA 50
Collector-emitter saturation voltage V
CE
(sat) I
C
= 500mA, I
B
= 50 mA 0.6 V
Base-emitter saturation voltage V
BE
(sat) I
C
= 500mA, I
B
= 50 mA 1.2 V
Base-emitter voltage V
BE
I
E
= 100mA 1.4 V
Transition frequency f
T
V
CE
= 6 V, I
C
= 20mA
f = 30MHz
150 MHz
CLASSIFICATION OF H
FE(1)
Rank BCD
Range 85-160 120-200 160-300
Wing Shing Computer Components Co., (H.K.)Ltd. Tel:(852)2341 9276 Fax:(852)2797 8153
Homepage: http://www.wingshing.com E-mail: wsccltd@hkstar.com
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品牌/商标 CY 型号/规格 13001 应用范围 功率 功率特性 大功率 频率特性 高频 极性 NPN型 结构 面接触型 材料 硅 封装形式 直插型 封装材料 玻璃封装 截止频率fT 76(MHz) 集电极允许电流ICM 76(A) 集电极耗散功率PCM 15(W) 营销方式 厂家直销