品牌/商标 | samsung | 型号/规格 | K4S511632D |
批号 | 10+ | 封装 | SSOP |
营销方式 | 现货 | 产品性质 | 热销 |
处理信号 | 数字信号 | 制作工艺 | 半导体集成 |
导电类型 | 双极型 | 集成程度 | 大规模 |
规格尺寸 | 10(mm) | 工作温度 | -40~125(℃) |
静态功耗 | 3(mW) | 类型 | 存储器 |
请注意,内存芯片价格按行情波动较大,欲请购请先电话确认!
简单地说:
内存之所以能存储资料,就是因为有了这些芯片!
根据品牌的不同,所采用的芯片亦有所区别,具体的识别办法是:
含义解释:
例:SAMSUNG K4H280838B-TCB0
主要含义:
第1位——芯片功能K,代表是内存芯片。
第2位——芯片类型4,代表DRAM。
第3位——芯片的更进一步的类型说明,S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。
第4、5位——容量和刷新速率,容量相同的内存采用不同的刷新速率,也会使用不同的编号。
64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量;28、27、2A代表128Mbit的容量;56、55、57、5A代表256Mbit的容量;51代表512Mbit的容量。
第6、7位——数据线引脚个数,08代表8位数据;16代表16位数据;32代表32位数据;64代表64位数据。
第11位——连线“-”。
第14、15位——芯片的速率,如60为6ns;70为 7ns;7B为7.5ns (CL=3);7C为7.5ns (CL=2) ;80为 8ns;10 为10ns (66MHz)。
知道了内存颗粒编码主要数位的含义,拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR内存,使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits,第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽,这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits(兆数位) × 16片/8bits=256MB(兆字节)。
注:“bit”为“数位”,“B”即字节“byte”,一个字节为8位则计算时除以8。
关于内存容量的计算,文中所举的例子中有两种情况:
一种是非ECC内存,每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存;另一种ECC内存,在每64位数据之后,还增加了8位的ECC校验码。通过校验码,可以检测出内存数据中的两位错误,纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中,不计算校验位,具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。
品牌/商标 ST意法半导体 型号/规格 BTA25-800B,BRG,BW,BWRG,C,CRG,CW,CWRG,SW,SWRG,TW,TWRG 控制方式 双向 极数 三极 封装材料 金属封装 封装外形 圆壳形 关断速度 高频(快速) 散热功能 带散热片 频率特性 中频 功率特性 大功率 额定正向平均电流 25(A) 控制极触发电流 50(mA) 稳定工作电流 5(A) 反向重复峰值电压 600(V) 一.可控硅的概念和结构:晶闸管又叫可控硅(Silicon Controlled Rectifier, SCR)。自从20世纪50年代问世以来已经发展成了一个大的家族,它的主要成员有单向晶闸管、双向晶闸管、光控晶闸管、逆导晶闸管、可关断晶闸管、快...
品牌/商标 FAIRCHILD/仙童 型号/规格 1200V NPT IGBT 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 MOS-HBM/半桥组件 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 IGBT绝缘栅比极 开启电压 5(V) 夹断电压 5(V) 低频跨导 5(μS) 极间电容 5(pF) 低频噪声系数 5(dB) 漏极电流 5(mA) 耗散功率 55000(mW) 本公司所有物料均为原装进口,请放心订购!由于库存型号种类太多,查询现货库存及详细资料请联系销售代表! IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管...