原装仙童IGBT单管FGL40N120AN
| 价 格： | 37.00 |
| 品牌/商标 | FAIRCHILD/仙童 | 型号/规格 | 1200V NPT IGBT |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | MOS-HBM/半桥组件 |
| 封装外形 | P-DIT/塑料双列直插 | 材料 | IGBT绝缘栅比极 |
| 开启电压 | 5（V） | 夹断电压 | 5（V） |
| 低频跨导 | 5（μS） | 极间电容 | 5（pF） |
| 低频噪声系数 | 5（dB） | 漏极电流 | 5（mA） |
| 耗散功率 | 55000（mW） |
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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
图1所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构， N+ 区称为源区，附于其上的电极称为源极。N+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P 型区（包括P+ 和P 一区）（沟道在该区域形成），称为亚沟道区（ Subchannel region ）。而在漏区另一侧的P+ 区称为漏注入区（ Drain injector ），它是IGBT 特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP 双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。
IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP 晶体管提供基极电流，使IGBT 导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT 关断。IGBT 的驱动方法和MOSFET 基本相同，只需控制输入极N一沟道MOSFET ，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET 的沟道形成后，从P+ 基极注入到N 一层的空穴（少子），对N 一层进行电导调制，减小N 一层的电阻，使IGBT 在高电压时，也具有低的通态电压。
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原装进口英飞凌IGBT模块FF100R12MT4,FF100R12KE3
信息内容：品牌/商标 INFINEON英飞凌 型号/规格 FF100R12KT4/FF100R12KE3 封装 各类接线、直插封装 批号 2011 类型 电源模块 输入电压 5（V） 输出电压 1200（V） 功率 56000（W） 华星（香港）股份公司是亚洲最全面的功率模块现货分销商代理商，长年备有现货，面对广大客户直销以下模块：一.欧美品牌：英飞凌(Infineon)优派克(EUPEC)艾塞思(IXYS)西门康(Semikron)西门子(Siemens)仙童(Fairchild)国际整流器(IR)摩托罗拉(Motorola)(POWER)泰科国际(TYCO)二.日本品牌：三菱(Mitsubishi)三社(SanRex)三垦(SanKen)富士(Fuji)东芝(Toshiba)日立(Hitachi)英达(NIEC)产品应用于工业焊机、工业电源、高频大功率加热设备、大功能逆变电源、并网电源、电车功率驱动电源、地铁动力控制等领域，由于型号繁多，如需订购请来电向销售代表查询！
现货供应IR原装进口MOS管IRFB3307ZG
信息内容：品牌/商标 INR美德国际整流器件 型号/规格 IRFB3307ZG 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 A/宽频带放大 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 ALGaAS铝镓砷 开启电压 5（V） 夹断电压 5（V） 低频跨导 5（μS） 极间电容 5（pF） 低频噪声系数 5（dB） 漏极电流 5（mA） 耗散功率 5000（mW）
