替代FQPF2N60C全市场价原装无铅MOS管 场效应管
| 价 格： | 0.70 |
| 品牌/商标 | BR蓝箭 | 型号/规格 | 2N60 |
| 应用范围 | 开关 | 功率特性 | 中功率 |
| 频率特性 | 中频 | 极性 | NPN型 |
| 结构 | 点接触型 | 材料 | 硅(Si) |
| 封装形式 | TO-220F | 封装材料 | 塑料封装 |
| 截止频率fT | 1（MHz） | 集电极允许电流ICM | 2（A） |
| 营销方式 | 库存 | 产品性质 | 热销 |
BRF2N60完全替代FQPF2N60C
BRF2N60(CS2N60F) N-CHANNEL MOSFET/N 沟道 MOS 晶体管
用途: 用于高功率 DC/DC 转换和功率开关。
Purpose: These devices are well suited for high efficiency switching DC/DC converters
and switch mode power supplies.
特点: 低栅电荷,低反馈电容,开关速度快。
Features: Low gate charge ,low crss, fast switching.
极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃)
电性能参数/Electrical Characteristics(Ta=25℃)
参数符号
Symbol
测试条件
Test Conditions
最小值
Min
典型值
Typ
值
Max
单位
Unit
BVDSS VGS=0V ID=250μA 600 V
VDS=600V VGS=0V 1.0 μA
IDSS
VDS=480V TC=125℃ 100 μA
IGSS VGS=±30V VDS=0V ±0.1 μA
VGS(th) VDS=VGS ID=250μA 2.0 4.0 V
RDS(on) VGS=10V ID=1.0A 4.0 5.0 Ω
gFS VDS=40V ID=1.0A 2.05 S
VSD VGS=0V IS=2.0A 1.4 V
Ciss 320 420 pF
Coss 35 46 pF
Crss
VDS=25V VGS=0V f=1.0MHz
4.5 6.0 pF
td(on) 8.0 30 ns
tr 23 60 ns
td(off) 25 60 ns
tf
VDD=300V ID=2.0A RG=25Ω
28 70 ns
参数符号
Symbol
数值
Rating
单位
Unit
VDSS 600 V
ID(Tc=25℃) 2.0 A
ID(Tc=100℃) 1.3 A
IDM 6.0 A
VGSS ±30 V
EAS 120 mJ
EAR 5.4 mJ
IAR 2.0 A
PD(Tc=25℃) 23 W
TJ,TSTG -55 to 150 ℃
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 罗少聪
- 电话：755-83013455
- 传真：755-83013455
- 手机：
- QQ ：
稳压IC TL431CD SOP-8 全新原装
信息内容：品牌/商标 FSC仙童 型号/规格 TL431CD-8P 批号 02+ 封装 SOP-8 营销方式 库存 产品性质 热销 处理信号 模拟信号 制作工艺 半导体集成 导电类型 双极型 集成程度 中规模 规格尺寸 1（mm） 工作温度 -40~85（℃） 静态功耗 1（mW） 类型 稳压IC
双向可控硅BT134W-600 NXP
信息内容：品牌/商标 NXP 型号/规格 BT134W-600 封装材料 塑料封装 控制方式 双向 极数 三极 额定正向平均电流 1（A） GENERAL DESCRIPTIONGlasspassivatedtriacsinaplasticenvelopesuitableforsurfacemounting,intendedforuseinapplicationsrequiringhighbidirectionaltransientandblockingvoltagecapabilityandhighthermalcyclingperformance.Typicalapplicationsincludemotorcontrol,industrialanddomesticlighting,heatingandstaticswitching.LIMITING VALUESLimiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).SYMBOLPARAMETERCONDITIONSMIN.MAX.UNIT-500-600-8001 1Repetitive peak off-state-500 600 800VVDRMvoltagesIRMS on-state currentfull sine wave; T ? 108 ?C-1AT(RMS) spI Non-repetitive peakfull sine wave; T = 25 ?C prior toTSM jon-state currentsurget = 20 ms-10At = 16.7 ms-11A2 2 2I tI t for fusingt = ...
