双向可控硅BT134W-600 NXP
| 价 格： | 0.50 |
| 品牌/商标 | NXP | 型号/规格 | BT134W-600 |
| 封装材料 | 塑料封装 | 控制方式 | 双向 |
| 极数 | 三极 | 额定正向平均电流 | 1（A） |
GENERAL DESCRIPTION
Glasspassivatedtriacsinaplastic
envelopesuitableforsurface
mounting,intendedforusein
applicationsrequiringhigh
bidirectionaltransientandblocking
voltagecapabilityandhighthermal
cyclingperformance.Typical
applicationsincludemotorcontrol,
industrialanddomesticlighting,
heatingandstaticswitching.
LIMITING VALUES
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).
SYMBOLPARAMETERCONDITIONSMIN.MAX.UNIT
-500-600-800
1 1
Repetitive peak off-state-500 600 800V
V
DRM
voltages
I
RMS on-state currentfull sine wave; T ? 108 ?C-1A
T(RMS) sp
I Non-repetitive peakfull sine wave; T = 25 ?C prior to
TSM j
on-state currentsurge
t = 20 ms-10A
t = 16.7 ms-11A
2 2 2
I tI t for fusingt = 10 ms-0.5A s
dI
/dtRepetitive rate of rise ofI = 1.5 A; I = 0.2 A;
T TM G
/dt = 0.2 A/?s
on-state current afterdI
G
triggeringT2+ G+-50A/?s
T2+ G--50A/?s
T2- G--50A/?s
T2- G+-10A/?s
I Peak gate current-2A
GM
V Peak gate voltage-5V
GM
P Peak gate power-5W
GM
P Average gate powerover any 20 ms period-0.5W
G(AV)
T Storage temperature-40150?C
stg
T Operating junction-125?C
j
temperature
- 所属城市：广东 深圳
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5N60一级代理 原装TO-220F
信息内容：品牌/商标 AOKE 型号/规格 FQPF5N60C 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 NF/音频(低频) 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 1（V） 夹断电压 1（V） 低频跨导 1（μS） 极间电容 1（pF） 低频噪声系数 1（dB） 漏极电流 1（mA） 耗散功率 1（mW） 强势代理FQPF5N60C 场效应管 TO-220F封装广泛应用于:风扇控制板，控制电源，LED驱动电源,路灯电源,灯杯电源,LCD电源、机箱电源、逆变器诚征分销商. 规格书:http://www.hbic.cn/aoke/down/fqpf5n60c...
批发东芝2SA1943-0/2SC5200-O，功率三极管
信息内容：品牌/商标 TOSHIBA东芝 型号/规格 2SA1943-0 应用范围 功率 功率特性 大功率 频率特性 中频 极性 NPN型 材料 硅 封装形式 塑料封装 封装材料 塑料封装 集电极允许电流ICM 15（A） 集电极耗散功率PCM 150（W） 营销方式 现货 产品性质 热销 2SA1943-0 2SC5200-O功率对管.广泛应用于音响领域.我们此型号可以批发,也可以零售.注: 不管零售/批发, 都必须配对购买.TRANSISTOR | BJT | PNP | 230V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-264AA参数说明 Description 3路分散型矽控PNP电晶体 Pins/Package 3P/2-21F1A Pol PNP Ic(max) -15A Pt(Pd) 150W Vceo(max) -230V hfe(min....
