品牌/商标 PHI荷兰飞利浦 型号/规格 D108NQ03,101NQ04 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 2 , 4(V)(V) 夹断电压 ±20(V)(V) 极间电容 1990 . 2020(pF)(pF) 漏极电流 75A(mA)(mA) 耗散功率 180W , 157W(mW)(mW)
品牌/商标 SIE德国西门子AG 型号/规格 BUZ101S,BUZ102S,BUZ100S 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 2.1-4(V)(V) 夹断电压 20(V)(V) 跨导 /(μS)(μS) 极间电容 .(pF)(pF) 低频噪声系数 /(dB)(dB) 漏极电流 /(mA)(mA) 耗散功率 /(mW)(mW)