飞利浦 场效应管 D108NQ03,101NQ04增强型MOS管N沟道
| 价 格： | 3.00 |
| 品牌/商标 | PHI荷兰飞利浦 | 型号/规格 | D108NQ03,101NQ04 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 |
| 材料 | N-FET硅N沟道 | 开启电压 | 2 , 4（V）（V） |
| 夹断电压 | ±20（V）（V） | 极间电容 | 1990 . 2020（pF）（pF） |
| 漏极电流 | 75A（mA）（mA） | 耗散功率 | 180W , 157W（mW）（mW） |
- 所属城市：上海 上海市
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德国西门子BUZ101S,BUZ102S,BUZ100S 场效应管
信息内容：品牌/商标 SIE德国西门子AG 型号/规格 BUZ101S,BUZ102S,BUZ100S 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 2.1-4（V）（V） 夹断电压 20（V）（V） 跨导 /（μS）（μS） 极间电容 .（pF）（pF） 低频噪声系数 /（dB）（dB） 漏极电流 /（mA）（mA） 耗散功率 /（mW）（mW）
PHIPHS场效应管：BFG10 BFG16A 电子元器件
信息内容：品牌/商标 PHI荷兰飞利浦 型号/规格 BFG10 BFG16A BFG194 BFG520XR BFG93AXR 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 开启电压 /（V）（V） 夹断电压 /（V）（V） 跨导 /（μS）（μS） 极间电容 .（pF）（pF） 低频噪声系数 /（dB）（dB） 漏极电流 /（mA）（mA） 耗散功率 /（mW）（mW）
