GFP4N60兼容FQP4N60C TO-220铁头 4N60
| 价 格： | 0.93 |
| 品牌/商标 | GY | 型号/规格 | FS2N60 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | A/宽频带放大 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
| 开启电压 | 600（V） |
These N-Channel enhancement mode power field effect
Transistors are produced using planar stripe, DMOS
technology.
GFP4N60是增强型N沟道功率场效应管，采用平面条形DMOS
工艺生产制造。
This advanced technology has been especially tailored
to minimize on - state resistance , provide superior
switching performance,and Withstand high energy pulse
in the avalanche and commutaion mode .These devices
are well suited for high efficiency switch mode power
supply.
GFP4N60具有低导通电阻、优越的开关特性以及抗雪崩击穿
能力，适合用于高效开关电源。
栅源电压
连续漏极电流
漏源反向击穿电压
Characteristics（参数）
V + 30 VGS
A 4.4 ID
V 600 BVDSS
Units(单位) Value(额定值） Symbol（符号）正向压降
热阻(结到壳）
储存温度
耗散功率
雪崩能量
栅源电压
连续漏极电流
漏源反向击穿电压
Characteristics（参数）
℃ -55 ~150 TSTG
℃/ W 1.18 RθJC
V + 30 VGS
A 4.4 ID
mJ 260 EAS
V 1.4 VSD
W 106 PD
V 600 BVDSS
Units(单位) Value(额定值） Symbol（符号）
nA 栅源漏电流
VDS= 480V, VGS= 10V
ID=4.4A
nC
20 15 - Qg 栅极存储电荷
- 3.4 - Qgs 栅源电荷
- 7.1 - Qgd 栅漏电荷
80 35 - tf 下降时间
90 70 - Coss 输出电容
VDS=600V ,VGS= 0V uA 10 - - IDSS 漏源漏电流
VGS= +30V, VDS= 0V +100 - - IGSS
VDD= 300V, ID= 4.4A
RG=25 Ω
VGS= 0V, VDS= 25V
F=1.0MHz
VDS= 50V, ID=2.2A
VGS= 10V,ID=2.2A
VDS= VGS,ID=250uA
Test Conditions
(测试条件)
开启电压
ns
pF
S
Ω
V
Units
(单位)
25
45
13
8
520
4
1.77
-
Typ.
(典型值)
4.0 2.0 VGS(th)
- - gfs 跨导
2.5 - RDS(on) 导通电阻
35 - td(on) 导通延迟时间
11 - Crss 传输电容
670 - Ciss 输入电容
60 - td(off) 下降延迟时间
100 - tr 上升时间
Max.
(值)
Min.
(最小值)
Symbol
(符号）
Characteristics
参数名称
Absolute Maximum ratings（极限参数，除非另有规定，T=25 ℃）
代理:场效应管2N60/5N60/8N60/10N60/12N60
| 型号 | 年份 | 封装 | 应用范围 | |
| 2N60 | 09+原装环保 | TO-220/TO-220F | 节能灯、充电器、开关电源、LCD显示器、电子镇流器 | |
| 5N60 | 09+原装环保 | TO-220/TO-220F | 风扇控制板，控制电源，LED驱动电源,路灯电源,灯杯电源,LCD电源、机箱电源、逆变器 | |
| 8N60 | 09+原装环保 | TO-220/TO-220F | 电动车控制器,电源工具,汽车调压器、机箱电源、逆变器、 | |
| 10N60 | 09+原装环保 | TO-220/TO-220F | 工业电源，HID电子镇流器，节能灯，开关电源、 | |
| 12N60 | 09+原装环保 | TO-220/TO-220F | 风扇控制板，控制电源，LED驱动电源,路灯电源,灯杯电源,LCD电源、机箱电源、逆变器 |
- 所属城市：广东 深圳
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- 联系人： 罗少聪
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MBR20100 VF20120SG VISHAY集成电路IC
信息内容：品牌/商标 VISHAY 型号/规格 MBR20100 封装 TO-220F 批号 07+ 类型 电视机IC 特价代替 MBR20100 原装 VF20120SG VISHAY High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky RectifierUltra Low VF = 0.54 V at IF = 5 AVF20120SGVishay General SemiconductorNew ProductFEATURES• Trench MOS Schottky technology• Low forward voltage drop, low power losses• High efficiency operation• Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, perJESD 22-B106• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC and inaccordance to WEEE 2002/96/EC• Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definitionTYPICAL APPLICATIONSFor use in high frequency DC/DC converters, switchingpower supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, andreverse battery protection.MECHANICAL DATACase: ITO-220ABMolding compound meets UL 94 V-0 flammability ra...
替代FQPF2N60C全市场价原装无铅MOS管 场效应管
信息内容：品牌/商标 BR蓝箭 型号/规格 2N60 应用范围 开关 功率特性 中功率 频率特性 中频 极性 NPN型 结构 点接触型 材料 硅(Si) 封装形式 TO-220F 封装材料 塑料封装 截止频率fT 1（MHz） 集电极允许电流ICM 2（A） 营销方式 库存 产品性质 热销 BRF2N60完全替代FQPF2N60C BRF2N60(CS2N60F) N-CHANNEL MOSFET/N 沟道 MOS 晶体管 用途: 用于高功率 DC/DC 转换和功率开关。 Purpose: These devices are well suited for high efficiency switching DC/DC converters and switch mode power supplies.特点: 低栅电荷,低反馈电容,开关速...
