品牌/商标 | IR美国国际整流器公司 | 型号/规格 | IRFP150MPBF |
种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | P沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | MIX/混频 |
封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
开启电压 | 20(V) | 夹断电压 | 100(V) |
低频噪声系数 | 42(dB) | 耗散功率 | 160(mW) |
Part: | IRFP150MPBF |
Description: | 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC Series M package |
Parameter | Value |
Package | TO-247AC |
Circuit | Discrete |
VBRDSS (V) | 100 |
VGs Max (V) | 20 |
RDS(on) Max 10V (mOhms) | 36.0 |
ID @ TC = 25C (A) | 42 |
ID @ TC = 100C (A) | 30 |
Qg Typ (nC) | 73.3 |
Qgd Typ (nC) | 38.7 |
Rth(JC) (K/W) | 0.95 |
Power Dissipation @ TC = 25C (W) | 160 |
科顺龙电子商行主要经销的产品有:场效应管,电源控制IC,IGBT,MCU单片机,LCD驱动IC等等。
优势品牌热卖:IR(国际整流器),VISHAY(威世),ST(意法半导体),ON(安森美半导体)。
热卖场效应管系列:IRF540N,IRF630N,IRF640N,IRF730,IRF740,IRF830,IRF840,IRF9530N,IRF9540N,IRF9630,IRF9640,IRF9Z24N,IRF9Z34N,IRFZ24N,IRFZ34N,IRFZ44N,IRFZ48N,IRFP150N,IRFP250N,IRFP260N,IRFP264,IRFP450,IRFP460,IRFP460A,IRFBE30,MBR20100CTK,8ETH06,15ETH06,IRFP150,
IRFP350,IRFP360,IRD120,IRFP460LC,IRFP054N,IRFP064N,IR2520D
主要用于:
1、HID照明:
IRFZ44N、IRF840、IRF540N、HFA08TB60(8ETH06)、IRF3205、IRF3710、MC34063(ON)、MUR860(ON)。
2、电机控制器:
IRF1010E、IRF2807、IR2103S、STP75NF75(ST)、STP60NF06(ST)。
3、UPS:
IRF2807、IRF1010E、IRF640N、IRF730、IRF740、IRF3205、IRF3710、IRFP264、IRFP460、IRFBG30、IRFZ44N。
4、功放/舞台设备:
IRFZ44N、IRFP250N、IRF9530N、IRFP460。
5、整流器/节能灯:
IRF830、IRF840、IRF730、IRF740、IR2153、IR2153S、IRF1010E。
6、电焊机:
IRFP460、IRFP260N、IRF9Z34N、IRFZ34N。
7、供应IR,ST,ON等上百种型号,有需求请来电咨询。
IR2104S、IRL3803STR、IRLML6302TR、IRFR120NTR、IR2110、11DQ10PBF、IRFP350、30CPQ100、IRFP460A、
IRFP460LC、IRF7314TR、IRF7313TR、IRFD120、IRFP054N、IRFP064N、IRFP9240、IRFZ24N、IRF2520D、
IRF530N、VIPER12A(ST)、VIPER22A(ST)、STP55NFO6、MBR20100CTK、IRFZ34N、IRF9610。
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·公司名称: 深圳科顺龙电子商行
·联系人 : 彭先生
·电话 : 0755-82719303
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·地址 : 深圳市高科德交易中心12318
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品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRFP460PBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 L/功率放大 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 10(V) 夹断电压 120(V) 跨导 110(μS) 极间电容 1200(pF) 低频噪声系数 11(dB) 漏极电流 20(mA) 耗散功率 280(mW)
品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRFP150NPBF 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 S/开关 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 100(V) 夹断电压 25(V) 跨导 140(μS) 极间电容 1900(pF) 低频噪声系数 28(dB) 漏极电流 10(mA) 耗散功率 36(mW) 详细技术参数ParameterValuePackage TO-247AC Circuit Discrete Polarity N VBRDSS (V) 100 RDS(on) 10V (mOhms) 36.0 ID @ TC = 25C (A) 39 ID @ TC = 100C (A) 28 Qg Typ 73...