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场效应管 MOS IRFP254PBF IRFP254 全新原装

价 格: 0.10

品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRFP254PBF
种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 增强型 用途 MW/微波
封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道
开启电压 250(V) 夹断电压 25(V)
极间电容 2700(pF) 漏极电流 23(mA)
耗散功率 190(mW)

彭志毫
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
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原装现货IR 场效应管IRFP150N IRFP150M IRFP150

信息内容:

品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRFP150MPBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 MIX/混频 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 20(V) 夹断电压 100(V) 低频噪声系数 42(dB) 耗散功率 160(mW) Part: IRFP150MPBFDescription: 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC Series M packageSpecificationsParameterValuePackage TO-247ACCircuit DiscreteVBRDSS (V) 100VGs Max (V) 20RDS(on) Max 10V (mOhms) 36.0ID @ TC = 25C (A) 42ID @ TC = 100C (A) 30Qg Typ (nC) 73.3Qgd Typ (nC) 38.7Rth(JC) (K/W) 0.95Power Dissipation @ TC = 25C (W)...

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原装现货 IR MOS 场效应管 IRFP460 IRFP450,IRFP460A

信息内容:

品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRFP460PBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 L/功率放大 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 10(V) 夹断电压 120(V) 跨导 110(μS) 极间电容 1200(pF) 低频噪声系数 11(dB) 漏极电流 20(mA) 耗散功率 280(mW)

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