品牌/商标 | IR美国国际整流器公司 | 型号/规格 | IRFZ44NS |
种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | D/变频换流 |
封装外形 | SMD(SO)/表面封装 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
开启电压 | 55(V) | 夹断电压 | 25(V) |
极间电容 | 1470(pF) | 漏极电流 | 25(mA) |
耗散功率 | 3.8(mW) |
品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRFZ44NPBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 UNI/一般用途 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 25(V) 夹断电压 10(V) 极间电容 1470(pF) 漏极电流 4(mA) 耗散功率 94(mW)
品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRFP254PBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 MW/微波 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 250(V) 夹断电压 25(V) 极间电容 2700(pF) 漏极电流 23(mA) 耗散功率 190(mW)