产品类型 | 整流管 | 品牌/商标 | ON安森美 |
型号/规格 | MBR20100CT | 结构 | 肖特基 |
材料 | 硅(Si) | 封装形式 | 直插型 |
封装材料 | 树脂封装 | 功率特性 | 中功率 |
频率特性 | 中频 | 发光颜色 | 电压控制 |
LED封装 | 无色透明(T) | 出光面特征 | 微型管 |
发光强度角分布 | 标准型 | 反向电压VR | 100(V) |
正向直流电流IF | 10(A) |
品牌/商标 ST意法半导体 型号/规格 STW70N10F4 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 L/功率放大 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 100(V) 夹断电压 30(V) 极间电容 5800(pF) 漏极电流 65(mA) 耗散功率 150(mW)
品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRF3315NPBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 MOS-HBM/半桥组件 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 150(V) 漏极电流 27(mA) 耗散功率 136(mW)