品牌/商标 | ST意法半导体 | 型号/规格 | STW70N10F4 |
种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | L/功率放大 |
封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
开启电压 | 100(V) | 夹断电压 | 30(V) |
极间电容 | 5800(pF) | 漏极电流 | 65(mA) |
耗散功率 | 150(mW) |
品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRF3315NPBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 MOS-HBM/半桥组件 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 150(V) 漏极电流 27(mA) 耗散功率 136(mW)
品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRFP4321PBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 UHF/超高频 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 150(V) 夹断电压 25(V) 极间电容 4460(pF) 漏极电流 78(mA) 耗散功率 310(mW)