品牌/商标 | IR美国国际整流器公司 | 型号/规格 | IRF9530NPBF |
种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | P沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | L/功率放大 |
封装外形 | P-DIT/塑料双列直插 | 材料 | P-FET硅P沟道 |
品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRF9Z34NPBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 L/功率放大 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 P-FET硅P沟道 产品图片产品特点IRF9Z34 概述 IR的第五代HEXFETs功率场效应管IRF9Z34采用先进的工艺技术制造,具有极低的导通阻抗。IRF9Z34这种特性,加上快速的转换速率,和以坚固耐用著称的HEXFET设计,使得IRF9Z34成为极其高效可靠、应用范围超广的器件。 TO-220封装的IRF9Z34普遍适用于功耗在50W左右的工商业应用,低热阻和低成本的TO-220封装,使IRF9Z34得到业内的普遍认可。D2Pak封装的IRF9Z34适用于贴片安装,比起现有的任何其他贴片封装,可说是功率,导通阻抗。TO-262是IRF9Z34的通孔安装版,适合较低端的应用。 IRF9Z34 参数 IRF9Z34 基本参数 VDSS -55 V ID @25℃ -17 A RDS(on) Max 100....
品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRF3205PBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 L/功率放大 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 55(V) 夹断电压 55(V) 跨导 1(μS) 极间电容 1(pF) 低频噪声系数 1(dB) 漏极电流 1(mA) 耗散功率 1(mW)