IRF3205PBF N沟道MOSFET管
| 价 格： | 3.90 |
| 品牌/商标 | IR美国国际整流器公司 | 型号/规格 | IRF3205PBF |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | L/功率放大 |
| 封装外形 | P-DIT/塑料双列直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 55（V） | 夹断电压 | 55（V） |
| 跨导 | 1（μS） | 极间电容 | 1（pF） |
| 低频噪声系数 | 1（dB） | 漏极电流 | 1（mA） |
| 耗散功率 | 1（mW） |
- 所属城市：广东 深圳
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IRF640NPBF场效应管，N沟道原装MOSFET管
信息内容：品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRF640NPBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 L/功率放大 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 200（V） 夹断电压 200（V） 跨导 1（μS） 极间电容 1（pF） 低频噪声系数 1（dB） 漏极电流 1（mA） 耗散功率 1（mW）
IRF630PBF 原装N沟道MOSFET管
信息内容：品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRF630NPBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 L/功率放大 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 200（V） 夹断电压 1（V） 跨导 1（μS） 极间电容 1（pF） 低频噪声系数 1（dB） 漏极电流 1（mA） 耗散功率 1（mW） 产品图片dzsc/18/5164/18516496.jpg产品特点IRF630 概述 IR的第五代HEXFET功率场效应管IRF630采用先进的工艺技术制造，具有极低的导通阻抗。IRF630这种特性，加上快速的转换速率，和...
