场效应管SE8205A SOT23-6封装 双N沟道
| 价 格： | 0.10 |
| 品牌/商标 | SINO-IC | 型号/规格 | SE8205A |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | S/开关 |
| 封装外形 | SP/特殊外形 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 12（V） | 夹断电压 | 20（V） |
| 跨导 | 1（μS） | 极间电容 | 1（pF） |
| 低频噪声系数 | 1（dB） | 漏极电流 | 6000（mA） |
| 耗散功率 | 1（mW） |
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SE9435 MOS管 P沟道
信息内容：品牌/商标 SINO-IC 型号/规格 SE9435 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 耗尽型 用途 S/开关 封装外形 SP/特殊外形 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 20（V） 夹断电压 30（V） 跨导 1（μS） 极间电容 1（pF） 低频噪声系数 1（dB） 漏极电流 4.9（mA） 耗散功率 1（mW）
SE4606 场效应管 N+P沟道 SOP8封装
信息内容：品牌/商标 SINO-IC 型号/规格 SE4606 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 L/功率放大 封装外形 SP/特殊外形 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 20（V） 夹断电压 30（V） 跨导 1（μS） 极间电容 1（pF） 低频噪声系数 1（dB） 漏极电流 8.5（mA） 耗散功率 1（mW） N+P Channel ProductPart No.Package ConfigurationVdsVgs (±)IDRds(on) / Ohm max10V4.5V2.5V1.8VSE2312TSSOP6N+P2082.360m115m130m-20-82.20.10.15SE4606SOP8N+P30208.526m40m-30-20-553m85m ...
