品牌/商标 | GY | 型号/规格 | GFF50N06 |
种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | A/宽频带放大 |
封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
夹断电压 | 60(V) |
FEATURES(参数)
• Low RDs(on)
(0.023 Ω)@Vgs=10V
低导通电阻(23m Ω)
• Low Gate Charge (Typical 39nC)
低栅极存储电荷(典型值39nC)
• Low Crss (Typical 110pF)
低传输电容(典型值110pF)
•Maximum Junction Temperature Range(175 ℃)
结温达到(175 ℃)
1.Gate 2.Drain 3.Soure
正向压降
热阻(结到壳)
储存温度
耗散功率
雪崩能量
栅源电压
连续漏极电流
漏源反向击穿电压
Characteristics(参数)
℃ -55 ~175 TSTG
℃/ W 1.15 RθJC
V + 20 VGS
A 50 ID
mJ 470 EAS
V 1.4 VSD
W 130 PD
V 60 BVDSS
Units(单位) Value(额定值) Symbol(符号)
nA 栅源漏电流
VDS= 48V, VGS= 10V
ID=50A
nC
45 39 - Qg 栅极存储电荷
- 9.5 - Qgs 栅源电荷
- 13 - Qgd 栅漏电荷
130 60 - tf 下降时间
560 430 - Coss 输出电容
VDS=60V ,VGS= 0V uA 10 - - IDSS 漏源漏电流
VGS= +20V, VDS= 0V +100 - - IGSS
VDD= 30V, ID= 25A
RG=50 Ω
VGS= 0V, VDS= 25V
F=1.0MHz
VGS= 10V,ID=25A
VDS= VGS,ID=250uA
Test Conditions
(测试条件)
开启电压
ns
pF
mΩ
V
Units
(单位)
75
185
60
110
880
18
-
Typ.
(典型值)
4.0 2.0 VGS(th)
30 - RDS(on) 导通电阻
130 - td(on) 导通延迟时间
140 - Crss 传输电容
1140 - Ciss 输入电容
160 - td(off) 下降延迟时间
380 - tr 上升时间
Max.
(值)
Min.
(最小值)
Symbol
(符号)
Characteristics
参数名称
Absolute Maximum ratings(极限参数,除非另有规定,T=25 ℃)
GFP50N06
TO-220
代理:场效应管2N60/5N60/8N60/10N60/12N60
型号 | 年份 | 封装 | 应用范围 | |
2N60 | 09+原装环保 | TO-220/TO-220F | 节能灯、充电器、开关电源、LCD显示器、电子镇流器 | |
5N60 | 09+原装环保 | TO-220/TO-220F | 风扇控制板,控制电源,LED驱动电源,路灯电源,灯杯电源,LCD电源、机箱电源、逆变器 | |
8N60 | 09+原装环保 | TO-220/TO-220F | 电动车控制器,电源工具,汽车调压器、机箱电源、逆变器、 | |
10N60 | 09+原装环保 | TO-220/TO-220F | 工业电源,HID电子镇流器,节能灯,开关电源、 | |
12N60 | 09+原装环保 | TO-220/TO-220F | 风扇控制板,控制电源,LED驱动电源,路灯电源,灯杯电源,LCD电源、机箱电源、逆变器 |
品牌/商标 NEC 型号/规格 NL2432DR22-11B 显示类型 CSTN-LCD 颜色数 260000 分辨率 240x320 适用机型 PDA
品牌/商标 MOT 型号/规格 BC372 封装 TO-92 批号 95+ 类型 射频IC dzsc/18/5168/18516840.jpgHigh voltage Darlington Transistors1 Publication Order Number:BC372/DNPN SiliconFeatures• Pb−Free Packages are Available*MAXIMUM RATINGSRating Symbol Value UnitCollector−Emitter VoltageBC372BC373VCEO10080VdcCollector−Base VoltageBC372BC373VCES10080VdcEmitter−Base Voltage VEBO 12 VdcCollector Current − Continuous IC 1.0 AdcTotal Power Dissipation @ TA = 25°CDerate above TA = 25°CPD 6255.0mWmW/°CTotal Power Dissipation @ TA = 25°CDerate above TA = 25°CPD 1.512WmW/°COperating and Storage JunctionTemperature RangeTJ, Tstg −55 to +150 °CTHERMAL CHARACTERISTICSCharacteristic Symbol Max UnitThermal Resistance, Junction−to−Ambient R JA 200 &d...