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特价现货 三极管KTC4375

价 格: 0.01

品牌/商标 KEC 型号/规格 KTC4375
应用范围 功率 功率特性 中功率
频率特性 中频 极性 NPN型
结构 面接触型 材料 硅(Si)
封装形式 SOT-89 封装材料 树脂封装
截止频率fT 200(MHz) 集电极允许电流ICM 100M(A)
集电极耗散功率PCM 200M(W) 营销方式 现货
产品性质 热销

dzsc/18/5128/18512883.jpg

特价现货供应 三极管KTC4375

HIGH CURRENT APPLICATION.
FEATURES
·1W (Mounted on Ceramic Substrate).
·Small Flat Package.
·Complementary to KTA1663.
MAXIMUM RATING (Ta=25℃)
DIM
A
B
D
E
G
H
K
4.70 MAX
2.50 0.20
1.70 MAX
0.45+0.15/-0.10
4.25 MAX
1.50 0.10
0.40 TYP
1.75 MAX
0.75 MIN
0.5+0.10/-0.05
SOT-89
C
J
G
D
1 2 3
2. COLLECTOR (HEAT SINK)
A
C
K
J
F
MILLIMETERS
H
1. BASE
3. EMITTER
B
E
F F
D +_
+_
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃)
Note : hFE Classification O:100∼200, Y:160∼320
PC* : KTC4375 mounted on ceramic substrate (250mm2x0.8t)
G
Type Name
h F E Rank Lot No.
Marking
CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT
Collector-Base Voltage VCBO 30 V
Collector-Emitter Voltage VCEO 30 V
Emitter-Base Voltage VEBO 5 V
Collector Current IC 1.5 A
Base Current IB 0.3 A
Collector Power Dissipation
PC 500 mW
PC* 1 W
Junction Temperature Tj 150 ℃
Storage Temperature Range Tstg -55∼150 ℃
CHARACTERISTIC SYMBOL TEST CONDITION MIN. TYP. MAX. UNIT
Collector Cut-off Current ICBO VCB=30V, IE=0 - - 100 nA
Emitter Cut-off Current IEBO VEB=5V, IC=0 - - 100 nA
Collector-Emitter Breakdown Voltage V(BR)CEO IC=10mA, IB=0 30 - - V
Emitter-Base Breakdown Voltage V(BR)EBO IE=1mA, IC=0 5 - - V
DC Current Gain hFE (Note) VCE=2V, IC=500mA 100 - 320
Collector-Emitter Saturation Voltage VCE(sat) IC=1.5A, IB=0.03A - - 2.0 V
Base-Emitter Voltage VBE VCE=2V, IC=500mA - - 1.0 V
Transition Frequency fT VCE=2V, IC=500mA - 120 - MHz
Collector Output Capacitance Cob VCB=10V, IE=0, f=1MHz - -

东莞市讯微电子有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 东莞
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 张新旭
  • 电话:0769-83033107
  • 传真:0769-83033107
  • 手机:
  • QQ :
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