特价现货 三极管MPSA05放大三极管
| 价 格： | 0.05 |
| 品牌/商标 | ON/仙童/长电 | 型号/规格 | MPSA05 |
| 应用范围 | 放大 | 功率特性 | 中功率 |
| 频率特性 | 中频 | 极性 | NPN型 |
| 结构 | 点接触型 | 材料 | 硅(Si) |
| 封装形式 | to-92 | 封装材料 | 树脂封装 |
| 截止频率fT | 50（MHz） | 集电极允许电流ICM | 500m（A） |
| 集电极耗散功率PCM | 625m（W） | 营销方式 | 现货 |
| 产品性质 | 热销 |
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特价现货供应 三极管MPSA05
=25°C unless otherwise noted
Electrical Characteristics TC=25°C unless otherwise noted
* Pulse Test: Pulse Width ≤ 300μs, Duty Cycle ≤ 2.0%
Thermal Characteristics TA=25°C unless otherwise noted
* Device mounted on FR-4 PCB 1.6” × 0.06"
Symbol Parameter Value Units
VCEO Collector-Emitter Voltage 60 V
VCBO Collector-Base Voltage 60 V
VEBO Emitter-Base Voltage 4.0 V
IC Collector current - Continuous 500 mA
TJ, Tstg Junction and Storage Temperature -55 ~ +150 °C
Symbol Parameter Test Condition Min. Typ. Max. Units
Off Characteristics
V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage * IC = 1mA, IB = 0 60 V
V(BR)EBO Emitter-Base Breakdown Voltage IC = 100μA, IC = 0 4 V
ICEO Collector Cutoff Current VCE = 60V, IB = 0 0.1 μA
ICBO Emitter Cutoff Current VCB = 60V, IE = 0 0.1 μA
On Characteristics
hFE DC Current Gain IC = 10mA, VCE = 1.0V
IC = 100mA, VCE = 1.0V
100
100
VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC = 100mA, IB = 10mA 0.25 V
VBE(on) Base-Emitter On Voltage IC = 100mA, VCE = 1.0V 1.2 V
Small Signal Characteristics
fT Current Gain Bandwidth Product IC = 10mA, VCE = 2V,
f = 100MHz
100 MHz
Symbol Parameter
Max.
Units
MPSA05 *MMBTA05
PD Total Device Dissipation
Derate above 25°C
625
5
350
2.8
mW
mW/°C
RθJC Thermal Resistance, Junction to Case 83.3 °C/W
RθJA Thermal Resistance, Junction to Ambient 200 357 °C/W
- 所属城市：广东 东莞
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 张新旭
- 电话：0769-83033107
- 传真：0769-83033107
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特价现货 开关二极管BAV99W
信息内容：产品类型 开关管 品牌/商标 NXP/ON 型号/规格 BAV99W 结构 平面型 材料 硅(Si) 封装形式 SOT-23 封装材料 塑料封装 功率特性 中功率 频率特性 中频 发光颜色 红色 反向电压VR 100（V） 正向直流电流IF 300（mA）
特价现货 MOS管2SK3018
信息内容：品牌/商标 ROHM/长电 型号/规格 2SK3018 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 A/宽频带放大 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 20（V） 夹断电压 1（V） 极间电容 0.2（pF） 低频噪声系数 20（dB） 漏极电流 1（mA） 耗散功率 2（mW） 2.5V Drive Nch MOS FET2SK3018zStructureSilicon N-channelMOSFETzApplicationsInterfacing, switching (30V, 100mA)zFeatures1) Low on-resistance.2) Fast switching speed.3) Low voltage drive (2.5V) makes this device ideal forportable equipment.4) Drive circuit...
