品牌/商标 | 长电 | 型号/规格 | PXT8050D |
应用范围 | 放大 | 功率特性 | 中功率 |
频率特性 | 中频 | 极性 | NPN型 |
结构 | 点接触型 | 材料 | 硅(Si) |
封装形式 | SOT-89 | 封装材料 | 树脂封装 |
截止频率fT | 100(MHz) | 集电极允许电流ICM | 1.5(A) |
集电极耗散功率PCM | 0.5(W) | 营销方式 | 现货 |
产品性质 | 热销 |
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特价现货供应 开关三极管PXT8050D
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
SOT-89 Plastic-Encapsulate Transistors
PXT8050 TRANSISTOR (NPN)
FEATURES
z Compliment to PXT8550
MARKING: Y1
MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted)
Symbol Parameter Value Units
VCBO Collector-Base Voltage 40 V
VCEO Collector-Emitter Voltage 25 V
VEBO Emitter-Base Voltage 6 V
IC Collector Current -Continuous 1.5 A
PC Collector Power dissipation 0.5 W
TJ Junction Temperature 150 ℃
Tstg Storage Temperature -55-150 ℃
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)
Parameter Symbol Test conditions MIN TYP MAX UNIT
Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO IC=100uA, IE=0 40 V
Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO IC=0.1mA, IB=0 25 V
Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE=100μA, IC=0 5 V
Collector cut-off current ICBO VCB=40V, IE=0 0.1 μA
Emitter cut-off current ICEO VCE=20V, IE=0 0.1 μA
Emitter cut-off current IEBO VEB=5V, IC=0 0.1 μA
hFE(1) VCE=1V, IC=100mA 85 400
DC current gain
hFE(2) VCE=1V, IC=800mA 40
Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) IC=800mA, IB=80mA 0.5 V
Base-emitter saturation voltage VBE(sat) IC=800mA, IB=80mA 1.2 V
Base-emitter voltage VBE VCE=1V, IC=10mA 1 V
Base-emitter positive favor voltage VBEF IB=1A 1.55 V
Transition frequency fT VCE=10V,IC=50mA,f=30MHz 100 MHz
output capacitance Cob VCB=10V,IE=0,f=1MHz 15 pF
CLASSIFICATION OF hFE(1)
Rank B C D D3
Range 85-160 120-200 160-300 300-400
品牌/商标 KEC 型号/规格 KTC4375 应用范围 功率 功率特性 中功率 频率特性 中频 极性 NPN型 结构 面接触型 材料 硅(Si) 封装形式 SOT-89 封装材料 树脂封装 截止频率fT 200(MHz) 集电极允许电流ICM 100M(A) 集电极耗散功率PCM 200M(W) 营销方式 现货 产品性质 热销 dzsc/18/5128/18512883.jpg特价现货供应 三极管KTC4375HIGH CURRENT APPLICATION.FEATURES·1W (Mounted on Ceramic Substrate).·Small Flat Package.·Complementary to KTA1663.MAXIMUM RATING (Ta=25℃)...
品牌/商标 TOSHIBA东芝 型号/规格 2SA1213 sot-89 应用范围 功率 功率特性 中功率 频率特性 中频 极性 PNP型 结构 面接触型 材料 硅(Si) 封装形式 贴片型 封装材料 树脂封装 截止频率fT 100(MHz) 集电极允许电流ICM 150m(A) 集电极耗散功率PCM 200m(W) 营销方式 现货 产品性质 热销 dzsc/18/5129/18512901.jpg特价现货供应 三极管2SA1213TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process)2SA1213Power Amplifier ApplicationsPower Switching Applications• Low saturatio...