供应超低功耗MMA153F系列传感器，优质传感器厂家
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | MMA153F | |
| 品牌/商标： | MDT |
一、产品概述：
通常，在角度传感器的应用场合下，在MMA153F芯片上方放置一块磁铁以提供平行于芯片表面方向的工作磁场，芯片输出信号与磁场角度成正弦或余弦关系。MMA153F采用独特的推挽式惠斯通电桥设计，包含四个高灵敏度TMR传感元件，因此能产生很大的输出信号，峰峰值可达到工作电压的80%，从而可以省去通常应用中所必需的信号放大电路。此外，独特的TMR惠斯通电桥结构可以有效地补偿传感器的温度漂移。MMA153F性能优越，采用超小型的SOP8封装形式，尺寸仅为6 mm 5 mm 1.7 mm。
二、工作原理
在MMA153F芯片上表面放置一块小磁铁，通过旋转，该磁铁可以在平行于MMA153F芯片表面的任意方向产生磁场。MMA153F中的磁隧道结传感器主要由两磁性层组成，一层是“钉扎层”，磁化方向不受外加磁场影响，另一层是“自由层”，受外加磁场磁化并平行于外加磁场。由于隧道磁电阻效应，电阻值随钉扎层和自由层磁化方向夹角成正余弦关系变化，所以当外加磁场角度变化时，传感器的输出电压波形呈正余弦曲线。
三、特点如下：
灵敏度高、精度高：灵敏度可以达到十高斯
响应频率高：典型值为10 kHz
低功耗：工作电流为6 uA @ 3 V
小型封装：SOT23-3，TO-92
目前的低功耗霍尔或干簧管，通过齿轮变比，来测量水表一段时间内的流量。由于TMR磁传感器的固有特点，非常适合智能水表应用。响应频率高，可以达到10 kHz以上，这样就可以直接测量叶轮的转速，得到水表的瞬时流量，可以实时监控用水情况。采用两个TMR传感器，根据四种不同状态信号，可以获得叶轮的旋转速度和旋转方向。通过测量叶轮的转速，多维科技TMR传感器可以实现：瞬时流量检测、漏水及大流量报警、逆流检测等功能。
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供应旋转位置传感器，MMA153F传感器系列厂家
信息内容：一、性能参数 工作电压 VCC TA = 25°C 1 5 V 工作电流 ICC TA = 25°C 7(2) μA 电阻 R TA = 25°C 140(3) kOhm 输出范围 VOUT TA = 25°C 800 mV/V 偏移电压(4) VOQ TA = 25°C ±5 mV/V TCOV(5) Operating -0.1 %/°C 应用磁场 B Operating 60 400 Oe 角度误差 Operating 1 Degree 使用温度 TA Operating -40 125 °C 注： （1）1 Oe (Oersted) = 1 Gauss in air = 0.1 millitesla = 79.8 A/m。 （2）ICC = VCC/R, 工作电流随工作电压呈线性关系变化。 （3）电阻值有多种选择，详情请咨询多维科技有限公司。 （4）偏移电压：角度为零时，传感器输出电压（正余弦模式）。 （5）TCOV：在恒定工作电压下，输出信号随温度变化的百分比 二、TMR磁阻传感器在MRAM中的应用 MRAM是一种非挥发性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器（SRAM）的高速读取写入能力，以及动态随机存储器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。MRAM是一种非挥发性的磁性随机存储器，所谓“非挥发性”是指关掉电源后，仍可以保持记忆完整，功能与FLASH雷同；而“随机存取”是指中央处理器读取资料时，不需要从头开始，随时可用...
供应MMA153F旋转编码器传感器，多维传感器厂家热销
信息内容：一、产品概述： 通常，在角度传感器的应用场合下，在MMA153F芯片上方放置一块磁铁以提供平行于芯片表面方向的工作磁场，芯片输出信号与磁场角度成正弦或余弦关系。MMA153F采用独特的推挽式惠斯通电桥设计，包含四个高灵敏度TMR传感元件，因此能产生很大的输出信号，峰峰值可达到工作电压的80%，从而可以省去通常应用中所必需的信号放大电路。此外，独特的TMR惠斯通电桥结构可以有效地补偿传感器的温度漂移。MMA153F性能优越，采用超小型的SOP8封装形式，尺寸仅为6 mm 5 mm 1.7 mm。 二、无损探伤应用 无损探伤作为现代大工业的一个重要基础，对于现代工业的安全生产具有重要作用。常用的与磁相关的无损检测技术手段包括有漏磁检测，涡流检测，脉冲涡流检测，由于涡流检测具有速度快，效率高，可在线监测的特点，因此在现有的航空工业、锅炉检测、石油化工管道等缺陷探伤中具有重要应用。而TMR磁性传感器，由于其所具有的高灵敏度，高响应频率，高信噪比的特点，作为磁性传感器应用于无损探伤，将有效的提高无损探伤的水平和技术能力，并拓宽其应用范围，对大型设备的可靠性和安全生产具有重要意义。 三、产品应用 旋转位置传感器 旋转编码器 非接触式...
