供应旋转位置传感器，MMA153F传感器系列厂家
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | MMA153F | |
| 品牌/商标： | MDT |
一、性能参数
工作电压 VCC TA = 25°C 1 5 V
工作电流 ICC TA = 25°C 7(2) μA
电阻 R TA = 25°C 140(3) kOhm
输出范围 VOUT TA = 25°C 800 mV/V
偏移电压(4) VOQ TA = 25°C ±5 mV/V
TCOV(5) Operating -0.1 %/°C
应用磁场 B Operating 60 400 Oe
角度误差 Operating 1 Degree
使用温度 TA Operating -40 125 °C
注：
（1）1 Oe (Oersted) = 1 Gauss in air = 0.1 millitesla = 79.8 A/m。
（2）ICC = VCC/R, 工作电流随工作电压呈线性关系变化。
（3）电阻值有多种选择，详情请咨询多维科技有限公司。
（4）偏移电压：角度为零时，传感器输出电压（正余弦模式）。
（5）TCOV：在恒定工作电压下，输出信号随温度变化的百分比
二、TMR磁阻传感器在MRAM中的应用
MRAM是一种非挥发性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器（SRAM）的高速读取写入能力，以及动态随机存储器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。MRAM是一种非挥发性的磁性随机存储器，所谓“非挥发性”是指关掉电源后，仍可以保持记忆完整，功能与FLASH雷同；而“随机存取”是指中央处理器读取资料时，不需要从头开始，随时可用相同的速率，从内存的任何部位读写信息。MRAM运作的基本原理与硬盘驱动器相同。和在硬盘上存储数据一样，数据以磁矩的方向为依据，存储为0或1。它存储的数据具有性，直到被外界的磁场影响之后，才会改变这个磁性数据。
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供应MMA153F旋转编码器传感器，多维传感器厂家热销
信息内容：一、产品概述： 通常，在角度传感器的应用场合下，在MMA153F芯片上方放置一块磁铁以提供平行于芯片表面方向的工作磁场，芯片输出信号与磁场角度成正弦或余弦关系。MMA153F采用独特的推挽式惠斯通电桥设计，包含四个高灵敏度TMR传感元件，因此能产生很大的输出信号，峰峰值可达到工作电压的80%，从而可以省去通常应用中所必需的信号放大电路。此外，独特的TMR惠斯通电桥结构可以有效地补偿传感器的温度漂移。MMA153F性能优越，采用超小型的SOP8封装形式，尺寸仅为6 mm 5 mm 1.7 mm。 二、无损探伤应用 无损探伤作为现代大工业的一个重要基础，对于现代工业的安全生产具有重要作用。常用的与磁相关的无损检测技术手段包括有漏磁检测，涡流检测，脉冲涡流检测，由于涡流检测具有速度快，效率高，可在线监测的特点，因此在现有的航空工业、锅炉检测、石油化工管道等缺陷探伤中具有重要应用。而TMR磁性传感器，由于其所具有的高灵敏度，高响应频率，高信噪比的特点，作为磁性传感器应用于无损探伤，将有效的提高无损探伤的水平和技术能力，并拓宽其应用范围，对大型设备的可靠性和安全生产具有重要意义。 三、产品应用 旋转位置传感器 旋转编码器 非接触式...
供应超高频率响应>20MHz传感器，MMA153F传感器直销
信息内容：一、产品特性 隧道磁电阻(TMR)技术 超大输出信号，无需信号放大 超低功耗 超高频率响应 >20 MHz 优越的温度稳定性 低磁滞 宽工作电压范围 工作间隙大 极小封装尺寸 二、生物医用及生物磁场传感器 人体之中存在着各种形式的机械运动，它们是机体完成必要的生理功能的前提和保证，因此检测这些生物机械运动，无论对基础医学还是对临床医学来讲，都具有十分重要的意义。以前，必须利用体积大和功率高、价格贵的高温超导量子磁强计（SQUID）。高灵敏度及集成化的TMR磁敏传感器的出现为这些机械运动和病变部位的非接触式的探测提供了方便，并推动其发展。 三、产品概述： 通常，在角度传感器的应用场合下，在MMA153F芯片上方放置一块磁铁以提供平行于芯片表面方向的工作磁场，芯片输出信号与磁场角度成正弦或余弦关系。MMA153F采用独特的推挽式惠斯通电桥设计，包含四个高灵敏度TMR传感元件，因此能产生很大的输出信号，峰峰值可达到工作电压的80%，从而可以省去通常应用中所必需的信号放大电路。此外，独特的TMR惠斯通电桥结构可以有效地补偿传感器的温度漂移。MMA153F性能优越，采用超小型的SOP8封装形式，尺寸仅为6 mm 5 mm 1.7 mm。...
