供应电动玩具专用传感器，MMA153F系列传感器直销
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | MMA153F | |
| 品牌/商标： | MDT |
一、电动玩具专用传感器特性
隧道磁电阻(TMR)技术
超大输出信号，无需信号放大
超低功耗
超高频率响应 >20 MHz
优越的温度稳定性
低磁滞
宽工作电压范围
工作间隙大
极小封装尺寸
二、TMR磁传感器器件优点：
响应频率高，可达GHz以上
精度高，灵敏度高、信噪比好、分辨率高、线性好、线性范围宽
功耗更低，电阻率大、工作电流小，工作电压低
温度稳定性好，工作温度范围宽，可达200摄氏度
体积小，工艺性好，便于与现有的半导体芯片工艺集成，与ASIC集成后可制作智能传感器磁耦合、非接触、抗干扰能力强、稳定性好，可在油污、灰尘、雨水等恶劣环境下工作
三、产品应用
旋转位置传感器
旋转编码器
非接触式电位器
阀门位置传感器
旋钮传感器
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供应MMA153F系列传感器，多维优质传感器直销
信息内容：一、MMA153F系列传感器特性 隧道磁电阻(TMR)技术 超大输出信号，无需信号放大 超低功耗 超高频率响应 >20 MHz 优越的温度稳定性 低磁滞 宽工作电压范围 工作间隙大 极小封装尺寸 二、隧道磁电阻效应（TMR） 基于电子的自旋效应，在磁性钉扎层和磁性自由层中间间隔有绝缘体或半导体的非磁层的磁性多层膜结构，由于在磁性钉扎层和磁性自由层之间的电流通过基于电子的隧穿效应，因此称这一多层膜结构称为磁性隧道结。这种磁性隧道结在横跨绝缘层的电压作用下，其隧道电流和隧道电阻依赖于两个铁磁层（磁性钉扎层和磁性自由层）磁化强度的相对取向。当磁性自由层在外场的作用下，其磁化强度方向改变，而钉扎层的磁化方向不变，此时两个磁性层的磁化强度相对取向发生改变，则可在横跨绝缘层的的磁性隧道结上观测到大的电阻变化，这一物理效应正是基于电子在绝缘层的隧穿效应，因此称为隧道磁电阻效应。也就是说TMR磁传感器是利用磁场的变化来引起磁电阻变化，另一方面，我们可以通过观测TMR磁传感器的电阻变化来测量外磁场的变化。 三、工作原理 在MMA153F芯片上表面放置一块小磁铁，通过旋转，该磁铁可以在平行于MMA153F芯片表面...
供应超低功耗MMA153F系列传感器，优质传感器厂家
信息内容：一、产品概述： 通常，在角度传感器的应用场合下，在MMA153F芯片上方放置一块磁铁以提供平行于芯片表面方向的工作磁场，芯片输出信号与磁场角度成正弦或余弦关系。MMA153F采用独特的推挽式惠斯通电桥设计，包含四个高灵敏度TMR传感元件，因此能产生很大的输出信号，峰峰值可达到工作电压的80%，从而可以省去通常应用中所必需的信号放大电路。此外，独特的TMR惠斯通电桥结构可以有效地补偿传感器的温度漂移。MMA153F性能优越，采用超小型的SOP8封装形式，尺寸仅为6 mm 5 mm 1.7 mm。 二、工作原理 在MMA153F芯片上表面放置一块小磁铁，通过旋转，该磁铁可以在平行于MMA153F芯片表面的任意方向产生磁场。MMA153F中的磁隧道结传感器主要由两磁性层组成，一层是“钉扎层”，磁化方向不受外加磁场影响，另一层是“自由层”，受外加磁场磁化并平行于外加磁场。由于隧道磁电阻效应，电阻值随钉扎层和自由层磁化方向夹角成正余弦关系变化，所以当外加磁场角度变化时，传感器的输出电压波形呈正余弦曲线。 三、特点如下： 灵敏度高、精度高：灵敏度可以达到十高斯 响应频率高：典型值为10 kHz 低功耗：工作电流为6 uA @ 3 V 小型封装：SOT23-3，TO-92 目...
