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供应MMLD47F 6mV/V/Oe传感器芯片,多维传感器热销

价 格: 面议
型号/规格:MMLD47F
品牌/商标:MDT

一、TMR磁阻传感器在物联网中的应用
  磁传感器作为传感器产业中的重要分支,在物联网应用领域有着巨大的市场,在全球范围内被很多国家提高到了国家经济和国防的战略高度。
  我国物联网“十二五”发展规划近日出台。规划要求到2015年初步完成物联网产业体系构建,形成较完善的物联网产业链,“感知技术、传输技术、处理技术”将作为物联网核心技术攻克的重要领域,而产业布局和培育方面,国家将重点推进十大产业聚集区及100家骨干企业的建设,力争实现规模化应用。这十个发展重点领域应用示范工程包括:智能工业、智能农业、智能物流、智能交通、智能电网、智能环保、智能安防、智能医疗以及智能家居。

二、应用介绍:
  被测磁场方向平行于TMR芯片灵敏方向,被测得电流线通过电流Ip后,产生磁场B作用于环形排列的TMR芯片,被测磁场B沿TMR芯片环形排列闭合路径的线积分,等于这闭合路径所包围的各个电流之代数和。这个结论称为安培环路定理(Ampere circuital theorem)。利用安培环路定理,环形排列的TMR芯片经电流线磁场作用后产生的输出信号经简单的电路处理,既可得到输出信号Vout。

三、概述
  采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计,包含四个非屏蔽高灵敏度TMR传感元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时,惠斯通全桥提供差分电压输出,并且该输出具有良好的温度稳定性。 MMLD47F性能优越,采用SOP8封装(尺寸为6 mm 5 mm 1.7 mm)形式。
  

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供应TMR芯片高灵敏度传感器芯片,多维优质传感器芯片

信息内容:

一、高灵敏度传感器芯片特点:  抗干扰能力强  成本低  处理电路简单  工作温度范围宽(-55℃~125℃)  测量范围广(10A~1000A)  温度特性好(-0.1%/℃)  测量精度高(0.1%/FS)  灵敏度高(6mV/V/Oe) 二、性能比较:  灵敏度 0.1mV/V/Oe 12mV/V/Oe  线性度 2% 0.4%  温度系数 -1.6%/℃ -0.1%/℃  是否需要磁环 必须要 不需 三、应用介绍:  被测磁场方向平行于TMR芯片灵敏方向,一个TMR 芯片位于电流线的正上方,被测电流被覆制在PCB板上,被测电流Ip流经电流线,在TMR芯片位置产生平行于TMR芯片灵敏方向的磁场B,TMR芯片感应感应到被测电流线产生的磁场B,TMR芯片的输出信号直接取出或经过简单的差分电路输出既可将信号取出,得到最终的输出信号Vout。 心动不如行动,赶紧拿起您手中的电话,选择我们的产品,只有您的满意,才是我们的宗旨!!! 欢迎广大新老顾客来电选购或咨询,多维科技欢迎您! 联系方式: 1. 服务电话:0512-56366222 2. 电话:0512-56319303联系人:张先生 3. 或直接将您的意见发送到 info@dowaytech.com

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供应6mV 300mA~5A传感器芯片,优质传感器芯片热卖

信息内容:

一、300mA~5A传感器芯片特点:  体积小  成本低  处理电路简单  工作温度范围广(-55℃~125℃)  测量范围广(300mA~5A)  温度特性好(-0.1%/℃)  测量精度高(0.1%/FS)  灵敏度高(6mV/V/Oe) 二、应用介绍:  被测磁场方向平行于TMR芯片灵敏方向,被测电流Ip流经的电流线为U形铜导线,两个TMR芯片位于U形电流线的正上方,通过被测电流Ip后,U型线两臂正上方的同一位置产生方向相反、大小相同的磁场强度B。两TMR芯片分别感应U形线两臂产生的磁场B,经过简单的差分电路既可将两TMR芯片的输出信号放大取出,得到最终的输出信号Vout。  性能比较:  灵敏度 0.1mV/V/Oe 6mV/V/Oe  线性度 2% 0.4%  温度系数 -1.6%/℃ -0.1%/℃ 三、概述  采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计,包含四个非屏蔽高灵敏度TMR传感元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时,惠斯通全桥提供差分电压输出,并且该输出具有良好的温度稳定性。 MMLD47F性能优越,采用SOP8封装(尺寸为6 mm 5 mm 1.7 mm)形式。 心动不如行动,赶紧拿起您手中的电话,选择我们的产品,只有您的满意,才是我们的宗旨!!! 欢迎广大新老顾客来电选购或咨询,多...

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