供应TMR芯片高灵敏度传感器芯片，多维优质传感器芯片
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | MMLD47F | |
| 品牌/商标： | MDT |
一、高灵敏度传感器芯片特点：
抗干扰能力强
成本低
处理电路简单
工作温度范围宽（-55℃~125℃）
测量范围广（10A~1000A）
温度特性好（-0.1%/℃）
测量精度高（0.1%/FS）
灵敏度高（6mV/V/Oe）
二、性能比较：
灵敏度 0.1mV/V/Oe 12mV/V/Oe
线性度 2% 0.4%
温度系数 -1.6%/℃ -0.1%/℃
是否需要磁环 必须要 不需
三、应用介绍：
被测磁场方向平行于TMR芯片灵敏方向，一个TMR 芯片位于电流线的正上方，被测电流被覆制在PCB板上，被测电流Ip流经电流线，在TMR芯片位置产生平行于TMR芯片灵敏方向的磁场B，TMR芯片感应感应到被测电流线产生的磁场B，TMR芯片的输出信号直接取出或经过简单的差分电路输出既可将信号取出，得到最终的输出信号Vout。
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供应6mV 300mA~5A传感器芯片，优质传感器芯片热卖
信息内容：一、300mA~5A传感器芯片特点： 体积小 成本低 处理电路简单 工作温度范围广（-55℃~125℃） 测量范围广（300mA~5A） 温度特性好（-0.1%/℃） 测量精度高（0.1%/FS） 灵敏度高（6mV/V/Oe） 二、应用介绍： 被测磁场方向平行于TMR芯片灵敏方向，被测电流Ip流经的电流线为U形铜导线，两个TMR芯片位于U形电流线的正上方，通过被测电流Ip后，U型线两臂正上方的同一位置产生方向相反、大小相同的磁场强度B。两TMR芯片分别感应U形线两臂产生的磁场B，经过简单的差分电路既可将两TMR芯片的输出信号放大取出，得到最终的输出信号Vout。 性能比较： 灵敏度 0.1mV/V/Oe 6mV/V/Oe 线性度 2% 0.4% 温度系数 -1.6%/℃ -0.1%/℃ 三、概述 采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计，包含四个非屏蔽高灵敏度TMR传感元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时，惠斯通全桥提供差分电压输出，并且该输出具有良好的温度稳定性。 MMLD47F性能优越，采用SOP8封装（尺寸为6 mm 5 mm 1.7 mm）形式。 心动不如行动，赶紧拿起您手中的电话，选择我们的产品，只有您的满意，才是我们的宗旨！！！ 欢迎广大新老顾客来电选购或咨询，多...
供应MMLD47F强抗干扰能力传感器芯片，优质芯片直销
信息内容：一、强抗干扰能力传感器芯片特点： 体积小 抗干扰能力强 工作温度范围宽（-55℃~125℃） 处理电路简单 测量范围广（1A~100A） 温度特性好（-0.1%/℃） 测量精度高（0.1%/FS） 灵敏度极高（12mV/V/Oe） 二、应用介绍： 被测磁场平行于TMR元件灵敏方向，磁环聚集了被测电流产生的磁场，在缺口处，TMR元件感应到该磁场，使二次线圈产生电流和磁场，二次线圈又反作用于磁环，使磁环内等效场为零。TMR支撑着整个应用的磁场平衡。在该应用中，TMR元件可直接替代现行的hall闭环式电流传感器内的hall元件。 性能比较： 灵敏度 0.1mV/V/Oe 6mV/V/Oe 线性度 2% 0.4% 温度系数 大 小 -3dB带宽 小 大 三、极限参数 工作电压:VCC 6 V 存储温度:Tstg -50 ~ 150 °C 外加磁场:B 2000 Oe(1) ESD:(HBM) 4000 V 存储温度:Tstg -50 ~ 150 ° 外加磁场 心动不如行动，赶紧拿起您手中的电话，选择我们的产品，只有您的满意，才是我们的宗旨！！！ 欢迎广大新老顾客来电选购或咨询，多维科技欢迎您！ 联系方式： 1. 服务电话：0512-56366222 2. 电话：0512-56319303联系人：张先生 ...
