供应高抗磁特性传感器芯片，电流传感器芯片厂家
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | MMLD47F | |
| 品牌/商标： | MDT |
一、电流传感器：常用的电流测量装置一般采用霍尔元件作为传感器单元，通过被测电流产生的磁场大小来实现对电流的测量。目前也有采用AMR和GMR作为传感器单元，其原理和霍尔元件相同，都是通过被测电流产生的磁场来实现对电流的测量。霍尔元件由于灵敏度低，通常采用铁磁材料通过磁聚效应来提高精度。TMR磁传感器由于灵敏度高，线性度好，动态范围宽，精度高，温度特性好。不需要铁磁材料，能减少电流传感器体积，降低成本。
二、高抗磁特性传感器芯片性能参数
工作电压:VCC 1 5 V
工作电流:ICC 12.5(2) μA
电阻值:R 80(3) kOhm
灵敏度:SEN 在±20 Oe范围拟合 6 mV/V/Oe
动态范围:±70 Oe
线性范围:非线性度<1% ±20 Oe
失调电压:VOQ ±5 mV/V
磁滞:Hys. 在±20 Oe范围拟合 0.1 %FS
失调电压温漂:VOT H = 0 Oe ±0.01 mV/V/°C
灵敏度温度系数:-0.1 %/°C
使用温度:TA -40 125 °C
频率响应:FCUT DC 20 MHz
注：
（1）1 Oe (Oersted) = 1 Gauss in air = 0.1 millitesla = 79.8 A/m。
（2）ICC = VCC/R, 工作电流随工作电压呈线性关系变化。
（3）阻值可以选择，详情请咨询江苏多维科技有限公司。
三、高抗磁特性传感器芯片概述
采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计，包含四个非屏蔽高灵敏度TMR传感元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时，惠斯通全桥提供差分电压输出，并且该输出具有良好的温度稳定性。 MMLD47F性能优越，采用SOP8封装（尺寸为6 mm 5 mm 1.7 mm）形式。
四、高抗磁特性传感器芯片极限参数
工作电压:VCC 6 V
存储温度:Tstg -50 ~ 150 °C
外加磁场:B 2000 Oe(1)
ESD:(HBM) 4000 V
存储温度:Tstg -50 ~ 150 °
外加磁场
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供应生物医用MMLD47F传感器芯片，多维磁阻传感器直销
信息内容：一、生物医用及生物磁场传感器 人体之中存在着各种形式的机械运动，它们是机体完成必要的生理功能的前提和保证，因此检测这些生物机械运动，无论对基础医学还是对临床医学来讲，都具有十分重要的意义。以前，必须利用体积大和功率高、价格贵的高温超导量子磁强计（SQUID）。高灵敏度及集成化的TMR磁敏传感器的出现为这些机械运动和病变部位的非接触式的探测提供了方便，并推动其发展。 二、生物医用MMLD47F传感器芯片性能参数 工作电压:VCC 1 5 V 工作电流:ICC 12.5(2) μA 电阻值:R 80(3) kOhm 灵敏度:SEN 在±20 Oe范围拟合 6 mV/V/Oe 动态范围:±70 Oe 线性范围:非线性度<1% ±20 Oe 失调电压:VOQ ±5 mV/V 磁滞:Hys. 在±20 Oe范围拟合 0.1 %FS 失调电压温漂:VOT H = 0 Oe ±0.01 mV/V/°C 灵敏度温度系数:-0.1 %/°C 使用温度:TA -40 125 °C 频率响应:FCUT DC 20 MHz 注： （1）1 Oe (Oersted) = 1 Gauss in air = 0.1 millitesla = 79.8 A/m。 （2）ICC = VCC/R, 工作电流随工作电压呈线性关系变化。 （3）阻值可以选择，详情请咨询江苏多维科技有限公司。 三、生物医用MMLD47F传感器芯片概述 采用...
供应0.1%FS传感器芯片，15V隧道磁电阻(TMR)芯片
信息内容：一、0.1%FS传感器芯片在无损探伤应用 无损探伤作为现代大工业的一个重要基础，对于现代工业的安全生产具有重要作用。常用的与磁相关的无损检测技术手段包括有漏磁检测，涡流检测，脉冲涡流检测，由于涡流检测具有速度快，效率高，可在线监测的特点，因此在现有的航空工业、锅炉检测、石油化工管道等缺陷探伤中具有重要应用。而TMR磁性传感器，由于其所具有的高灵敏度，高响应频率，高信噪比的特点，作为磁性传感器应用于无损探伤，将有效的提高无损探伤的水平和技术能力，并拓宽其应用范围，对大型设备的可靠性和安全生产具有重要意义。 二、0.1%FS传感器芯片性能参数 工作电压:VCC 1 5 V 工作电流:ICC 12.5(2) μA 电阻值:R 80(3) kOhm 灵敏度:SEN 在±20 Oe范围拟合 6 mV/V/Oe 动态范围:±70 Oe 线性范围:非线性度<1% ±20 Oe 失调电压:VOQ ±5 mV/V 磁滞:Hys. 在±20 Oe范围拟合 0.1 %FS 失调电压温漂:VOT H = 0 Oe ±0.01 mV/V/°C 灵敏度温度系数:-0.1 %/°C 三、0.1%FS传感器芯片概述 采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计，包含四个非屏蔽高灵敏度TMR传感元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时，惠斯通全桥...
