供应0.1%FS传感器芯片，15V隧道磁电阻(TMR)芯片
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | MMLD47F | |
| 品牌/商标： | MDT |
一、0.1%FS传感器芯片在无损探伤应用
无损探伤作为现代大工业的一个重要基础，对于现代工业的安全生产具有重要作用。常用的与磁相关的无损检测技术手段包括有漏磁检测，涡流检测，脉冲涡流检测，由于涡流检测具有速度快，效率高，可在线监测的特点，因此在现有的航空工业、锅炉检测、石油化工管道等缺陷探伤中具有重要应用。而TMR磁性传感器，由于其所具有的高灵敏度，高响应频率，高信噪比的特点，作为磁性传感器应用于无损探伤，将有效的提高无损探伤的水平和技术能力，并拓宽其应用范围，对大型设备的可靠性和安全生产具有重要意义。
二、0.1%FS传感器芯片性能参数
工作电压:VCC 1 5 V
工作电流:ICC 12.5(2) μA
电阻值:R 80(3) kOhm
灵敏度:SEN 在±20 Oe范围拟合 6 mV/V/Oe
动态范围:±70 Oe
线性范围:非线性度<1% ±20 Oe
失调电压:VOQ ±5 mV/V
磁滞:Hys. 在±20 Oe范围拟合 0.1 %FS
失调电压温漂:VOT H = 0 Oe ±0.01 mV/V/°C
灵敏度温度系数:-0.1 %/°C
三、0.1%FS传感器芯片概述
采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计，包含四个非屏蔽高灵敏度TMR传感元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时，惠斯通全桥提供差分电压输出，并且该输出具有良好的温度稳定性。 MMLD47F性能优越，采用SOP8封装（尺寸为6 mm 5 mm 1.7 mm）形式。
四、0.1%FS传感器芯片极限参数
工作电压:VCC 6 V
存储温度:Tstg -50 ~ 150 °C
外加磁场:B 2000 Oe(1)
ESD:(HBM) 4000 V
存储温度:Tstg -50 ~ 150 °
外加磁场
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供应MMLD47F系列-0.1%/°C芯片，多维传感器芯片厂家
信息内容：一、MMLD47F系列芯片性能参数 工作电压:VCC 1 5 V 工作电流:ICC 12.5(2) μA 电阻值:R 80(3) kOhm 灵敏度:SEN 在±20 Oe范围拟合 6 mV/V/Oe 动态范围:±70 Oe 线性范围:非线性度<1% ±20 Oe 二、MMLD47F系列芯片概述 采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计，包含四个非屏蔽高灵敏度TMR传感元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时，惠斯通全桥提供差分电压输出，并且该输出具有良好的温度稳定性。 MMLD47F性能优越，采用SOP8封装（尺寸为6 mm 5 mm 1.7 mm）形式。 三、MMLD47F系列芯片极限参数 工作电压:VCC 6 V 存储温度:Tstg -50 ~ 150 °C 外加磁场:B 2000 Oe(1) ESD:(HBM) 4000 V 存储温度:Tstg -50 ~ 150 ° 外加磁场 四、TMR磁阻传感器在MRAM中的应用 MRAM是一种非挥发性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器（SRAM）的高速读取写入能力，以及动态随机存储器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。MRAM是一种非挥发性的磁性随机存储器，所谓“非挥发性”是指关掉电源后，仍可以保持记忆完整，功能与FLASH雷同；而“随机存取”是指中央处理器读取资料时，不需要从头开始，随时可...
供应MMLD47F医疗专用芯片，MMLD47F磁阻传感器芯片
信息内容：一、MMLD47F医疗专用芯片应用 MRAM运作的基本原理与硬盘驱动器相同。和在硬盘上存储数据一样，数据以磁矩的方向为依据，存储为0或1。它存储的数据具有性，直到被外界的磁场影响之后，才会改变这个磁性数据。 磁性MEMS应用最的例子是硬盘和磁带的记录磁头。它采用了基于传感器的技术（AMR，GMR和TMR）。由于TMR技术与AMR，GMR相比，具有优势，目前硬盘已经完全采用这技术。 隧道式磁阻（TMR）是一种更新的技术，TMR代替GMR组成存储元件后，不但可以减小MOSFET的面积，而且不需要进行重复读取。 二、MMLD47F医疗专用芯片性能参数 工作电压:VCC 1 5 V 工作电流:ICC 12.5(2) μA 电阻值:R 80(3) kOhm 灵敏度:SEN 在±20 Oe范围拟合 6 mV/V/Oe 动态范围:±70 Oe 线性范围:非线性度<1% ±20 Oe 失调电压:VOQ ±5 mV/V 磁滞:Hys. 在±20 Oe范围拟合 0.1 %FS 失调电压温漂:VOT H = 0 Oe ±0.01 mV/V/°C 灵敏度温度系数:-0.1 %/°C 使用温度:TA -40 125 °C 频率响应:FCUT DC 20 MHz 注： （1）1 Oe (Oersted) = 1 Gauss in air = 0.1 millitesla = 79.8 A/m。 （2）ICC = VCC/R, 工作电流随工作电压呈线性关系...
