供应MMLD47F热量表专用传感器芯片，高频率响应芯片
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | MMLD47F | |
| 品牌/商标： | MDT |
一、热量表专用传感器芯片性能参数
工作电压:VCC 1 5 V
工作电流:ICC 12.5(2) μA
电阻值:R 80(3) kOhm
灵敏度:SEN 在±20 Oe范围拟合 6 mV/V/Oe
动态范围:±70 Oe
线性范围:非线性度<1% ±20 Oe
失调电压:VOQ ±5 mV/V
磁滞:Hys. 在±20 Oe范围拟合 0.1 %FS
失调电压温漂:VOT H = 0 Oe ±0.01 mV/V/°C
灵敏度温度系数:-0.1 %/°C
使用温度:TA -40 125 °C
频率响应:FCUT DC 20 MHz
注：
（1）1 Oe (Oersted) = 1 Gauss in air = 0.1 millitesla = 79.8 A/m。
（2）ICC = VCC/R, 工作电流随工作电压呈线性关系变化。
（3）阻值可以选择，详情请咨询江苏多维科技有限公司。
二、TMR磁传感器芯片在热量表中的应用方案特点：
极高的频率响应特性，直接测量叶轮转速；
极低的功耗满足热量表低功耗需求；
极高的灵敏度，可减少叶轮磁钢磁场强度，降低对安装位置的要求，并减少杂质吸附；
标准的高低电平输出，可直接连接处理器，提高系统的可靠性；
锁存式工作方式，有效地避免叶轮抖动问题；
内部量子式闭环的磁结构，无外部磁场辐射，满足极低的起始流量测量；
优异的温度稳定性和极高的灵敏度，提高热量表的工作温度的热稳定性，并有效降低叶轮磁钢热退磁影响；
良好的抗磁特性，可降低热量表磁屏蔽的要求；
半导体生产工艺，保障产品的一致性和稳定性，降低生产过程中的生产成本和后期的维修维护成本。
三、热量表专用传感器芯片概述
采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计，包含四个非屏蔽高灵敏度TMR传感元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时，惠斯通全桥提供差分电压输出，并且该输出具有良好的温度稳定性。 MMLD47F性能优越，采用SOP8封装（尺寸为6 mm 5 mm 1.7 mm）形式。
四、热量表专用传感器芯片极限参数
工作电压:VCC 6 V
存储温度:Tstg -50 ~ 150 °C
外加磁场:B 2000 Oe(1)
ESD:(HBM) 4000 V
存储温度:Tstg -50 ~ 150 °
外加磁场
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供应高抗磁特性传感器芯片，电流传感器芯片厂家
信息内容：一、电流传感器：常用的电流测量装置一般采用霍尔元件作为传感器单元，通过被测电流产生的磁场大小来实现对电流的测量。目前也有采用AMR和GMR作为传感器单元，其原理和霍尔元件相同，都是通过被测电流产生的磁场来实现对电流的测量。霍尔元件由于灵敏度低，通常采用铁磁材料通过磁聚效应来提高精度。TMR磁传感器由于灵敏度高，线性度好，动态范围宽，精度高，温度特性好。不需要铁磁材料，能减少电流传感器体积，降低成本。 二、高抗磁特性传感器芯片性能参数 工作电压:VCC 1 5 V 工作电流:ICC 12.5(2) μA 电阻值:R 80(3) kOhm 灵敏度:SEN 在±20 Oe范围拟合 6 mV/V/Oe 动态范围:±70 Oe 线性范围:非线性度<1% ±20 Oe 失调电压:VOQ ±5 mV/V 磁滞:Hys. 在±20 Oe范围拟合 0.1 %FS 失调电压温漂:VOT H = 0 Oe ±0.01 mV/V/°C 灵敏度温度系数:-0.1 %/°C 使用温度:TA -40 125 °C 频率响应:FCUT DC 20 MHz 注： （1）1 Oe (Oersted) = 1 Gauss in air = 0.1 millitesla = 79.8 A/m。 （2）ICC = VCC/R, 工作电流随工作电压呈线性关系变化。 （3）阻值可以选择，详情请咨询江苏多维科技有限公司。 三、高抗磁特...
供应生物医用MMLD47F传感器芯片，多维磁阻传感器直销
信息内容：一、生物医用及生物磁场传感器 人体之中存在着各种形式的机械运动，它们是机体完成必要的生理功能的前提和保证，因此检测这些生物机械运动，无论对基础医学还是对临床医学来讲，都具有十分重要的意义。以前，必须利用体积大和功率高、价格贵的高温超导量子磁强计（SQUID）。高灵敏度及集成化的TMR磁敏传感器的出现为这些机械运动和病变部位的非接触式的探测提供了方便，并推动其发展。 二、生物医用MMLD47F传感器芯片性能参数 工作电压:VCC 1 5 V 工作电流:ICC 12.5(2) μA 电阻值:R 80(3) kOhm 灵敏度:SEN 在±20 Oe范围拟合 6 mV/V/Oe 动态范围:±70 Oe 线性范围:非线性度<1% ±20 Oe 失调电压:VOQ ±5 mV/V 磁滞:Hys. 在±20 Oe范围拟合 0.1 %FS 失调电压温漂:VOT H = 0 Oe ±0.01 mV/V/°C 灵敏度温度系数:-0.1 %/°C 使用温度:TA -40 125 °C 频率响应:FCUT DC 20 MHz 注： （1）1 Oe (Oersted) = 1 Gauss in air = 0.1 millitesla = 79.8 A/m。 （2）ICC = VCC/R, 工作电流随工作电压呈线性关系变化。 （3）阻值可以选择，详情请咨询江苏多维科技有限公司。 三、生物医用MMLD47F传感器芯片概述 采用...
