一、传感器芯片性能参数
磁滞:Hys. 在±20 Oe范围拟合 0.1 %FS
失调电压温漂:VOT H = 0 Oe ±0.01 mV/V/°C
灵敏度温度系数:-0.1 %/°C
使用温度:TA -40 125 °C
频率响应:FCUT DC 20 MHz
工作电压:VCC 1 5 V
工作电流:ICC 12.5(2) μA
电阻值:R 80(3) kOhm
灵敏度:SEN 在±20 Oe范围拟合 6 mV/V/Oe
动态范围:±70 Oe
线性范围:非线性度<1% ±20 Oe
失调电压:VOQ ±5 mV/V
二、传感器芯片概述
采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计,包含四个非屏蔽高灵敏度TMR传感元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时,惠斯通全桥提供差分电压输出,并且该输出具有良好的温度稳定性。 MMLD47F性能优越,采用SOP8封装(尺寸为6 mm 5 mm 1.7 mm)形式。
三、传感器芯片特点:
抗干扰能力强
成本低
处理电路简单
工作温度范围宽(-55℃~125℃)
测量范围广(10A~1000A)
温度特性好(-0.1%/℃)
测量精度高(0.1%/FS)
灵敏度高(6mV/V/Oe)
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一、MMLD47F磁阻传感器芯片应用介绍: 被测磁场方向平行于TMR芯片灵敏方向,被测得电流线通过电流Ip后,产生磁场B作用于环形排列的TMR芯片,被测磁场B沿TMR芯片环形排列闭合路径的线积分,等于这闭合路径所包围的各个电流之代数和。这个结论称为安培环路定理(Ampere circuital theorem)。利用安培环路定理,环形排列的TMR芯片经电流线磁场作用后产生的输出信号经简单的电路处理,既可得到输出信号Vout。 二、MMLD47F磁阻传感器芯片性能参数 工作电压:VCC 1 5 V 工作电流:ICC 12.5(2) μA 电阻值:R 80(3) kOhm 灵敏度:SEN 在±20 Oe范围拟合 6 mV/V/Oe 动态范围:±70 Oe 线性范围:非线性度<1% ±20 Oe 失调电压:VOQ ±5 mV/V 磁滞:Hys. 在±20 Oe范围拟合 0.1 %FS 三、MMLD47F磁阻传感器芯片极限参数 工作电压:VCC 6 V 存储温度:Tstg -50 ~ 150 °C 外加磁场:B 2000 Oe(1) ESD:(HBM) 4000 V 存储温度:Tstg -50 ~ 150 ° 外加磁场 心动不如行动,赶紧拿起您手中的电话,选择我们的产品,只有您的满意,才是我们的宗旨!!! 欢迎广大新老顾客来电选购或咨询,多维科技欢迎您! 联系方式: ...
一、MMLD47F系列芯片性能参数 工作电压:VCC 1 5 V 工作电流:ICC 12.5(2) μA 电阻值:R 80(3) kOhm 灵敏度:SEN 在±20 Oe范围拟合 6 mV/V/Oe 动态范围:±70 Oe 线性范围:非线性度<1% ±20 Oe 频率响应:FCUT DC 20 MHz 二、MMLD47F系列芯片性能比较: 灵敏度 0.1mV/V/Oe 6mV/V/Oe 线性度 2% 0.4% 温度系数 -1.6%/℃ -0.1%/℃ 是否能测量mA级电流 非常困难 容易实现 三、MMLD47F系列芯片概述 采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计,包含四个非屏蔽高灵敏度TMR传感元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时,惠斯通全桥提供差分电压输出,并且该输出具有良好的温度稳定性。 MMLD47F性能优越,采用SOP8封装(尺寸为6 mm 5 mm 1.7 mm)形式。 四、MMLD47F系列芯片极限参数 工作电压:VCC 6 V 存储温度:Tstg -50 ~ 150 °C 外加磁场:B 2000 Oe(1) ESD:(HBM) 4000 V 存储温度:Tstg -50 ~ 150 ° 外加磁场 心动不如行动,赶紧拿起您手中的电话,选择我们的产品,只有您的满意,才是我们的宗旨!!! 欢迎广大新老顾客来电选购或咨询,多维科技欢迎您! 联系方式: 1. ...