供应MMLD47F磁阻传感器芯片，多维传感器芯片厂家
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | MMLD47F | |
| 品牌/商标： | MDT |
一、MMLD47F磁阻传感器芯片应用介绍：
被测磁场方向平行于TMR芯片灵敏方向，被测得电流线通过电流Ip后，产生磁场B作用于环形排列的TMR芯片，被测磁场B沿TMR芯片环形排列闭合路径的线积分，等于这闭合路径所包围的各个电流之代数和。这个结论称为安培环路定理（Ampere circuital theorem）。利用安培环路定理，环形排列的TMR芯片经电流线磁场作用后产生的输出信号经简单的电路处理，既可得到输出信号Vout。
二、MMLD47F磁阻传感器芯片性能参数
工作电压:VCC 1 5 V
工作电流:ICC 12.5(2) μA
电阻值:R 80(3) kOhm
灵敏度:SEN 在±20 Oe范围拟合 6 mV/V/Oe
动态范围:±70 Oe
线性范围:非线性度<1% ±20 Oe
失调电压:VOQ ±5 mV/V
磁滞:Hys. 在±20 Oe范围拟合 0.1 %FS
三、MMLD47F磁阻传感器芯片极限参数
工作电压:VCC 6 V
存储温度:Tstg -50 ~ 150 °C
外加磁场:B 2000 Oe(1)
ESD:(HBM) 4000 V
存储温度:Tstg -50 ~ 150 °
外加磁场
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供应MMLD47F系列芯片，多维传感器优质厂家直销
信息内容：一、MMLD47F系列芯片性能参数 工作电压:VCC 1 5 V 工作电流:ICC 12.5(2) μA 电阻值:R 80(3) kOhm 灵敏度:SEN 在±20 Oe范围拟合 6 mV/V/Oe 动态范围:±70 Oe 线性范围:非线性度<1% ±20 Oe 频率响应:FCUT DC 20 MHz 二、MMLD47F系列芯片性能比较： 灵敏度 0.1mV/V/Oe 6mV/V/Oe 线性度 2% 0.4% 温度系数 -1.6%/℃ -0.1%/℃ 是否能测量mA级电流 非常困难 容易实现 三、MMLD47F系列芯片概述 采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计，包含四个非屏蔽高灵敏度TMR传感元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时，惠斯通全桥提供差分电压输出，并且该输出具有良好的温度稳定性。 MMLD47F性能优越，采用SOP8封装（尺寸为6 mm 5 mm 1.7 mm）形式。 四、MMLD47F系列芯片极限参数 工作电压:VCC 6 V 存储温度:Tstg -50 ~ 150 °C 外加磁场:B 2000 Oe(1) ESD:(HBM) 4000 V 存储温度:Tstg -50 ~ 150 ° 外加磁场 心动不如行动，赶紧拿起您手中的电话，选择我们的产品，只有您的满意，才是我们的宗旨！！！ 欢迎广大新老顾客来电选购或咨询，多维科技欢迎您！ 联系方式： 1. ...
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信息内容：一、MMLD47F传感器芯片性能参数 工作电压:VCC 1 5 V 工作电流:ICC 12.5(2) μA 电阻值:R 80(3) kOhm 灵敏度:SEN 在±20 Oe范围拟合 6 mV/V/Oe 动态范围:±70 Oe 线性范围:非线性度<1% ±20 Oe 失调电压:VOQ ±5 mV/V 磁滞:Hys. 在±20 Oe范围拟合 0.1 %FS 失调电压温漂:VOT H = 0 Oe ±0.01 mV/V/°C 频率响应:FCUT DC 20 MHz 注： （1）1 Oe (Oersted) = 1 Gauss in air = 0.1 millitesla = 79.8 A/m。 （2）ICC = VCC/R, 工作电流随工作电压呈线性关系变化。 （3）阻值可以选择，详情请咨询江苏多维科技有限公司。 二、TMR磁阻传感器在物联网中的应用 磁传感器作为传感器产业中的重要分支，在物联网应用领域有着巨大的市场，在全球范围内被很多国家提高到了国家经济和国防的战略高度。 我国物联网“十二五”发展规划近日出台。规划要求到2015年初步完成物联网产业体系构建，形成较完善的物联网产业链，“感知技术、传输技术、处理技术”将作为物联网核心技术攻克的重要领域,而产业布局和培育方面，国家将重点推进十大产业聚集区及100家骨干企业的建设，力争实现规模化应用。这十个发展重点领域应用示范工程包括：...
