供应-1.6%/℃温度系数MMLD47F TMR芯片，多维传感器
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | MMLD47F | |
| 品牌/商标： | MDT |
一、MMLD47F TMR芯片特性
隧道磁电阻 ( TMR) 技术
超宽动态范围
高灵敏度
低功耗
超高频率响应
优越的温度稳定性
极小的磁滞
宽工作电压范围
二、MMLD47F TMR芯片应用介绍：
如下图所示，被测磁场方向平行于TMR芯片灵敏方向，一个TMR 芯片位于电流线的正上方，被测电流被覆制在PCB板上，被测电流Ip流经电流线，在TMR芯片位置产生平行于TMR芯片灵敏方向的磁场B，TMR芯片感应感应到被测电流线产生的磁场B，TMR芯片的输出信号直接取出或经过简单的差分电路输出既可将信号取出，得到最终的输出信号Vout。
三、MMLD47F TMR芯片概述
采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计，包含四个非屏蔽高灵敏度TMR传感元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时，惠斯通全桥提供差分电压输出，并且该输出具有良好的温度稳定性。 MMLD47F性能优越，采用SOP8封装（尺寸为6 mm 5 mm 1.7 mm）形式。
四、典型应用
电流传感器
磁强计
地磁传感器
位置传感器
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联系方式：
1. 服务电话：0512-56366222
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供应低功耗隧道磁电阻(TMR)芯片，传感器芯片优质厂家
信息内容：一、磁电阻(TMR)芯片特性 隧道磁电阻 ( TMR) 技术 超宽动态范围 高灵敏度 低功耗 超高频率响应 优越的温度稳定性 极小的磁滞 宽工作电压范围 二、磁电阻(TMR)芯片性能比较： 灵敏度 线性度 温度系数 -1.6%/℃ -0.1%/℃ 是否能测量mA级电流 非常困难 容易实现 三、磁电阻(TMR)芯片概述 采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计，包含四个非屏蔽高灵敏度TMR传感元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时，惠斯通全桥提供差分电压输出，并且该输出具有良好的温度稳定性。 MMLD47F性能优越，采用SOP8封装（尺寸为6 mm 5 mm 1.7 mm）形式。 四、典型应用 电流传感器 磁强计 地磁传感器 位置传感器 心动不如行动，赶紧拿起您手中的电话，选择我们的产品，只有您的满意，才是我们的宗旨！！！ 欢迎广大新老顾客来电选购或咨询，多维科技欢迎您！ 联系方式： 1. 服务电话：0512-56366222 2. 电话：0512-56319303联系人：张先生 3. 或直接将您的意见发送到 info@dowaytech.com
供应MMLD47F芯片，传感器芯片多维优质直销
信息内容：一、MMLD47F芯片特性 隧道磁电阻 ( TMR) 技术 超宽动态范围 高灵敏度 低功耗 超高频率响应 优越的温度稳定性 极小的磁滞 宽工作电压范围 二、MMLD47F芯片应用介绍： 如下图所示，被测磁场方向平行于TMR芯片灵敏方向，被测得电流线通过电流Ip后，产生磁场B作用于环形排列的TMR芯片，被测磁场B沿TMR芯片环形排列闭合路径的线积分，等于这闭合路径所包围的各个电流之代数和。这个结论称为安培环路定理（Ampere circuital theorem）。利用安培环路定理，环形排列的TMR芯片经电流线磁场作用后产生的输出信号经简单的电路处理，既可得到输出信号Vout。 三、MMLD47F芯片概述 采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计，包含四个非屏蔽高灵敏度TMR传感元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时，惠斯通全桥提供差分电压输出，并且该输出具有良好的温度稳定性。 MMLD47F性能优越，采用SOP8封装（尺寸为6 mm 5 mm 1.7 mm）形式。 四、典型应用 电流传感器 磁强计 地磁传感器 位置传感器 心动不如行动，赶紧拿起您手中的电话，选择我们的产品，只有您的满意，才是我们的宗旨！！！ 欢迎广大新老顾客来电选购或...
