供应低功耗隧道磁电阻(TMR)芯片，传感器芯片优质厂家
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | MMLD47F | |
| 品牌/商标： | MDT |
一、磁电阻(TMR)芯片特性
隧道磁电阻 ( TMR) 技术
超宽动态范围
高灵敏度
低功耗
超高频率响应
优越的温度稳定性
极小的磁滞
宽工作电压范围
二、磁电阻(TMR)芯片性能比较：
灵敏度
线性度
温度系数 -1.6%/℃ -0.1%/℃
是否能测量mA级电流 非常困难 容易实现
三、磁电阻(TMR)芯片概述
采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计，包含四个非屏蔽高灵敏度TMR传感元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时，惠斯通全桥提供差分电压输出，并且该输出具有良好的温度稳定性。 MMLD47F性能优越，采用SOP8封装（尺寸为6 mm 5 mm 1.7 mm）形式。
四、典型应用
电流传感器
磁强计
地磁传感器
位置传感器
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供应MMLD47F芯片，传感器芯片多维优质直销
信息内容：一、MMLD47F芯片特性 隧道磁电阻 ( TMR) 技术 超宽动态范围 高灵敏度 低功耗 超高频率响应 优越的温度稳定性 极小的磁滞 宽工作电压范围 二、MMLD47F芯片应用介绍： 如下图所示，被测磁场方向平行于TMR芯片灵敏方向，被测得电流线通过电流Ip后，产生磁场B作用于环形排列的TMR芯片，被测磁场B沿TMR芯片环形排列闭合路径的线积分，等于这闭合路径所包围的各个电流之代数和。这个结论称为安培环路定理（Ampere circuital theorem）。利用安培环路定理，环形排列的TMR芯片经电流线磁场作用后产生的输出信号经简单的电路处理，既可得到输出信号Vout。 三、MMLD47F芯片概述 采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计，包含四个非屏蔽高灵敏度TMR传感元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时，惠斯通全桥提供差分电压输出，并且该输出具有良好的温度稳定性。 MMLD47F性能优越，采用SOP8封装（尺寸为6 mm 5 mm 1.7 mm）形式。 四、典型应用 电流传感器 磁强计 地磁传感器 位置传感器 心动不如行动，赶紧拿起您手中的电话，选择我们的产品，只有您的满意，才是我们的宗旨！！！ 欢迎广大新老顾客来电选购或...
供应MMLD47F超高频率响应芯片，多维优质传感器芯片
信息内容：一、MMLD47F超高频率响应芯片性能比较： 灵敏度 线性度 温度系数 -1.6%/℃ -0.1%/℃ 二、MMLD47F超高频率响应芯片特性 隧道磁电阻 ( TMR) 技术 超宽动态范围 高灵敏度 低功耗 超高频率响应 优越的温度稳定性 极小的磁滞 宽工作电压范围 三、MMLD47F超高频率响应芯片概述 采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计，包含四个非屏蔽高灵敏度TMR传感元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时，惠斯通全桥提供差分电压输出，并且该输出具有良好的温度稳定性。 MMLD47F性能优越，采用SOP8封装（尺寸为6 mm 5 mm 1.7 mm）形式。 四、典型应用 电流传感器 磁强计 地磁传感器 位置传感器 心动不如行动，赶紧拿起您手中的电话，选择我们的产品，只有您的满意，才是我们的宗旨！！！ 欢迎广大新老顾客来电选购或咨询，多维科技欢迎您！ 联系方式： 1. 服务电话：0512-56366222 2. 电话：0512-56319303联系人：张先生 3. 或直接将您的意见发送到 info@dowaytech.com
