供应MMLD47F高测量范围磁电阻(TMR)芯片，传感器芯片
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | MMLD47F | |
| 品牌/商标： | MDT |
一、高测量范围磁电阻(TMR)芯片特性
隧道磁电阻 ( TMR) 技术
超宽动态范围
高灵敏度
低功耗
超高频率响应
优越的温度稳定性
极小的磁滞
宽工作电压范围
二、高测量范围磁电阻(TMR)芯片特点：
抗干扰能力强
成本低
-3dB带宽宽
测量范围广（1A~1000A）
温度特性好
测量精度高（0.1%/FS）
工作温度范围宽（-55℃~125℃）
三、高测量范围磁电阻(TMR)芯片概述
采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计，包含四个非屏蔽高灵敏度TMR传感元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时，惠斯通全桥提供差分电压输出，并且该输出具有良好的温度稳定性。 MMLD47F性能优越，采用SOP8封装（尺寸为6 mm 5 mm 1.7 mm）形式。
四、典型应用
电流传感器
磁强计
地磁传感器
位置传感器
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供应高灵敏度隧道磁电阻(TMR)芯片，多维传感器芯片
信息内容：一、高灵敏度隧道磁电阻(TMR)芯片特性 隧道磁电阻 ( TMR) 技术 超宽动态范围 高灵敏度 低功耗 超高频率响应 优越的温度稳定性 极小的磁滞 宽工作电压范围 二、高灵敏度隧道磁电阻(TMR)芯片应用介绍： 被测磁场平行于TMR元件灵敏方向，磁环聚集了被测电流产生的磁场，在缺口处，TMR元件感应到该磁场，使二次线圈产生电流和磁场，二次线圈又反作用于磁环，使磁环内等效场为零。TMR支撑着整个应用的磁场平衡。在该应用中，TMR元件可直接替代现行的hall闭环式电流传感器内的hall元件。 性能比较： 灵敏度 线性度 温度系数 大 小 -3dB带宽 小 大 三、高灵敏度隧道磁电阻(TMR)芯片概述 采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计，包含四个非屏蔽高灵敏度TMR传感元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时，惠斯通全桥提供差分电压输出，并且该输出具有良好的温度稳定性。 MMLD47F性能优越，采用SOP8封装（尺寸为6 mm 5 mm 1.7 mm）形式。 四、典型应用 电流传感器 磁强计 地磁传感器 位置传感器 心动不如行动，赶紧拿起您手中的电话，选择我们的产品，只有您的满意，才是我们的宗旨！！！ ...
供应-1.6%/℃温度系数MMLD47F TMR芯片，多维传感器
信息内容：一、MMLD47F TMR芯片特性 隧道磁电阻 ( TMR) 技术 超宽动态范围 高灵敏度 低功耗 超高频率响应 优越的温度稳定性 极小的磁滞 宽工作电压范围 二、MMLD47F TMR芯片应用介绍： 如下图所示，被测磁场方向平行于TMR芯片灵敏方向，一个TMR 芯片位于电流线的正上方，被测电流被覆制在PCB板上，被测电流Ip流经电流线，在TMR芯片位置产生平行于TMR芯片灵敏方向的磁场B，TMR芯片感应感应到被测电流线产生的磁场B，TMR芯片的输出信号直接取出或经过简单的差分电路输出既可将信号取出，得到最终的输出信号Vout。 三、MMLD47F TMR芯片概述 采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计，包含四个非屏蔽高灵敏度TMR传感元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时，惠斯通全桥提供差分电压输出，并且该输出具有良好的温度稳定性。 MMLD47F性能优越，采用SOP8封装（尺寸为6 mm 5 mm 1.7 mm）形式。 四、典型应用 电流传感器 磁强计 地磁传感器 位置传感器 心动不如行动，赶紧拿起您手中的电话，选择我们的产品，只有您的满意，才是我们的宗旨！！！ 欢迎广大新老顾客来电选购或咨询，多维科技欢迎您！ 联系...
