供应6 mm传感器芯片，磁阻传感器芯片多维直销
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | MMLD47F | |
| 品牌/商标： | MDT |
一、6 mm传感器芯片特性
隧道磁电阻 ( TMR) 技术
超宽动态范围
高灵敏度
低功耗
超高频率响应
优越的温度稳定性
极小的磁滞
宽工作电压范围
二、TMR线性传感器芯片作为开环PCB级电流传感器的应用特点：
测量范围广（300mA~5A）
温度特性好（-0.1%/℃）
测量精度高（0.1%/FS）
灵敏度高（6mV/V/Oe）
体积小
成本低
处理电路简单
工作温度范围广（-55℃~125℃）
三、6 mm传感器芯片概述
采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计，包含四个非屏蔽高灵敏度TMR传感元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时，惠斯通全桥提供差分电压输出，并且该输出具有良好的温度稳定性。 MMLD47F性能优越，采用SOP8封装（尺寸为6 mm 5 mm 1.7 mm）形式。
四、6 mm传感器芯片典型应用
电流传感器
磁强计
地磁传感器
位置传感器
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供应MMLD47F高测量范围磁电阻(TMR)芯片，传感器芯片
信息内容：一、高测量范围磁电阻(TMR)芯片特性 隧道磁电阻 ( TMR) 技术 超宽动态范围 高灵敏度 低功耗 超高频率响应 优越的温度稳定性 极小的磁滞 宽工作电压范围 二、高测量范围磁电阻(TMR)芯片特点： 抗干扰能力强 成本低 -3dB带宽宽 测量范围广（1A~1000A） 温度特性好 测量精度高（0.1%/FS） 工作温度范围宽（-55℃~125℃） 三、高测量范围磁电阻(TMR)芯片概述 采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计，包含四个非屏蔽高灵敏度TMR传感元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时，惠斯通全桥提供差分电压输出，并且该输出具有良好的温度稳定性。 MMLD47F性能优越，采用SOP8封装（尺寸为6 mm 5 mm 1.7 mm）形式。 四、典型应用 电流传感器 磁强计 地磁传感器 位置传感器 心动不如行动，赶紧拿起您手中的电话，选择我们的产品，只有您的满意，才是我们的宗旨！！！ 欢迎广大新老顾客来电选购或咨询，多维科技欢迎您！ 联系方式： 1. 服务电话：0512-56366222 2. 电话：0512-56319303联系人：张先生 3. 或直接将您的意见发送到 info@dowaytech.com
供应高灵敏度隧道磁电阻(TMR)芯片，多维传感器芯片
信息内容：一、高灵敏度隧道磁电阻(TMR)芯片特性 隧道磁电阻 ( TMR) 技术 超宽动态范围 高灵敏度 低功耗 超高频率响应 优越的温度稳定性 极小的磁滞 宽工作电压范围 二、高灵敏度隧道磁电阻(TMR)芯片应用介绍： 被测磁场平行于TMR元件灵敏方向，磁环聚集了被测电流产生的磁场，在缺口处，TMR元件感应到该磁场，使二次线圈产生电流和磁场，二次线圈又反作用于磁环，使磁环内等效场为零。TMR支撑着整个应用的磁场平衡。在该应用中，TMR元件可直接替代现行的hall闭环式电流传感器内的hall元件。 性能比较： 灵敏度 线性度 温度系数 大 小 -3dB带宽 小 大 三、高灵敏度隧道磁电阻(TMR)芯片概述 采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计，包含四个非屏蔽高灵敏度TMR传感元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时，惠斯通全桥提供差分电压输出，并且该输出具有良好的温度稳定性。 MMLD47F性能优越，采用SOP8封装（尺寸为6 mm 5 mm 1.7 mm）形式。 四、典型应用 电流传感器 磁强计 地磁传感器 位置传感器 心动不如行动，赶紧拿起您手中的电话，选择我们的产品，只有您的满意，才是我们的宗旨！！！ ...
