一、智能电表计量专用传感器芯片在电表中应用
众所周知,通电导线周围将产生磁场,其磁场的强弱与电流大小成正比。若将TMR磁传感器放置在通电导线附近,TMR磁传感器的输出电压可以测量导线中通过的电流。 用霍尔元件做成的电流传感器,检测电线中流过的电流所产生的磁场,由于霍尔元件本身的温度特性不好,使得相应的电流传感器温度性能比较差。此外,由于霍尔传感器灵敏度低,需要增加聚磁环,由此增加了体积和成本。TMR磁传感器温度稳定性好,对温度不敏感,线性度好,灵敏度高,不需要聚磁,因此采用TMR传感器的电流传感器具有体积小,温度特性好,精度高,整体成本低的特点,在智能电表计量领域具有非常重要的优势。
二、多维科技TMR磁传感器芯片在热量表中的应用方案特点:
极高的频率响应特性,直接测量叶轮转速;
极低的功耗满足热量表低功耗需求;
极高的灵敏度,可减少叶轮磁钢磁场强度,降低对安装位置的要求,并减少杂质吸附;
标准的高低电平输出,可直接连接处理器,提高系统的可靠性;
锁存式工作方式,有效地避免叶轮抖动问题;
内部量子式闭环的磁结构,无外部磁场辐射,满足极低的起始流量测量;
优异的温度稳定性和极高的灵敏度,提高热量表的工作温度的热稳定性,并有效降低叶轮磁钢热退磁影响;
良好的抗磁特性,可降低热量表磁屏蔽的要求;
半导体生产工艺,保障产品的一致性和稳定性,降低生产过程中的生产成本和后期的维修维护成本。
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一、MMLH45F传感器芯片性能参数 工作电压 VCC 1 5 V 工作电流 ICC 12.5(2) μA 电阻值 R 80(3) kOhm 灵敏度 SEN 在±15 Oe范围拟合 12 mV/V/Oe 动态范围 ±50 Oe 线性范围 非线性度<1% ±15 Oe 失调电压 VOQ ±5 mV/V 磁滞 Hys. 在±15 Oe范围拟合 1 %FS 失调电压温漂 VOT H = 0 Oe ±0.01 mV/V/°C 灵敏度温度系数 -0.1 %/°C 使用温度 TA -40 125 °C 频率响应 FCUT DC 20 MHz 二、TMR磁阻传感器在MRAM中的应用 MRAM是一种非挥发性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力,以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以无限次地重复写入。MRAM是一种非挥发性的磁性随机存储器,所谓“非挥发性”是指关掉电源后,仍可以保持记忆完整,功能与FLASH雷同;而“随机存取”是指中央处理器读取资料时,不需要从头开始,随时可用相同的速率,从内存的任何部位读写信息。MRAM运作的基本原理与硬盘驱动器相同。和在硬盘上存储数据一样,数据以磁矩的方向为依据,存储为0或1。它存储的数据具有性,直到被外界的磁场影响之后,才会改变这个磁性数据。 三、MMLH45F传感器芯片极限参数参数 ...
一、MMLD47F传感器芯片特性 隧道磁电阻 ( TMR) 技术 超宽动态范围 高灵敏度 低功耗 超高频率响应 优越的温度稳定性 极小的磁滞 宽工作电压范围 二、MMLD47F传感器芯片概述 采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计,包含四个非屏蔽高灵敏度TMR传感元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时,惠斯通全桥提供差分电压输出,并且该输出具有良好的温度稳定性。 MMLD47F性能优越,采用SOP8封装(尺寸为6 mm 5 mm 1.7 mm)形式。 三、TMR线性传感器芯片作为闭环电流传感器的应用特点: 测量范围广(1A~1000A) 温度特性好 测量精度高(0.1%/FS) 工作温度范围宽(-55℃~125℃) 抗干扰能力强 成本低 -3dB带宽宽 心动不如行动,赶紧拿起您手中的电话,选择我们的产品,只有您的满意,才是我们的宗旨!!! 欢迎广大新老顾客来电选购或咨询,多维科技欢迎您! 联系方式: 1. 服务电话:0512-56366222 2. 电话:0512-56319303联系人:张先生 3. 或直接将您的意见发送到 info@dowaytech.com