一、MMLH45F传感器芯片性能参数
工作电压 VCC 1 5 V
工作电流 ICC 12.5(2) μA
电阻值 R 80(3) kOhm
灵敏度 SEN 在±15 Oe范围拟合 12 mV/V/Oe
动态范围 ±50 Oe
线性范围 非线性度<1% ±15 Oe
失调电压 VOQ ±5 mV/V
磁滞 Hys. 在±15 Oe范围拟合 1 %FS
失调电压温漂 VOT H = 0 Oe ±0.01 mV/V/°C
灵敏度温度系数 -0.1 %/°C
使用温度 TA -40 125 °C
频率响应 FCUT DC 20 MHz
二、TMR磁阻传感器在MRAM中的应用
MRAM是一种非挥发性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力,以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以无限次地重复写入。MRAM是一种非挥发性的磁性随机存储器,所谓“非挥发性”是指关掉电源后,仍可以保持记忆完整,功能与FLASH雷同;而“随机存取”是指中央处理器读取资料时,不需要从头开始,随时可用相同的速率,从内存的任何部位读写信息。MRAM运作的基本原理与硬盘驱动器相同。和在硬盘上存储数据一样,数据以磁矩的方向为依据,存储为0或1。它存储的数据具有性,直到被外界的磁场影响之后,才会改变这个磁性数据。
三、MMLH45F传感器芯片极限参数参数
工作电压:VCC 6 V
存储温度:Tstg -50 ~ 150 °C
外加磁场:B 2000 Oe(1)
ESD:(HBM) 4000 V
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一、MMLD47F传感器芯片特性 隧道磁电阻 ( TMR) 技术 超宽动态范围 高灵敏度 低功耗 超高频率响应 优越的温度稳定性 极小的磁滞 宽工作电压范围 二、MMLD47F传感器芯片概述 采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计,包含四个非屏蔽高灵敏度TMR传感元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时,惠斯通全桥提供差分电压输出,并且该输出具有良好的温度稳定性。 MMLD47F性能优越,采用SOP8封装(尺寸为6 mm 5 mm 1.7 mm)形式。 三、TMR线性传感器芯片作为闭环电流传感器的应用特点: 测量范围广(1A~1000A) 温度特性好 测量精度高(0.1%/FS) 工作温度范围宽(-55℃~125℃) 抗干扰能力强 成本低 -3dB带宽宽 心动不如行动,赶紧拿起您手中的电话,选择我们的产品,只有您的满意,才是我们的宗旨!!! 欢迎广大新老顾客来电选购或咨询,多维科技欢迎您! 联系方式: 1. 服务电话:0512-56366222 2. 电话:0512-56319303联系人:张先生 3. 或直接将您的意见发送到 info@dowaytech.com
一、MMLD47F隧道磁电阻(TMR)芯片特性 隧道磁电阻 ( TMR) 技术 超宽动态范围 高灵敏度 低功耗 超高频率响应 优越的温度稳定性 极小的磁滞 宽工作电压范围 二、TMR线性传感器芯片作为开环PCB级电流传感器的应用特点: 测量范围广(300mA~5A) 温度特性好(-0.1%/℃) 测量精度高(0.1%/FS) 灵敏度高(6mV/V/Oe) 体积小 成本低 处理电路简单 工作温度范围广(-55℃~125℃) 三、MMLD47F隧道磁电阻(TMR)芯片概述 采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计,包含四个非屏蔽高灵敏度TMR传感元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时,惠斯通全桥提供差分电压输出,并且该输出具有良好的温度稳定性。 MMLD47F性能优越,采用SOP8封装(尺寸为6 mm 5 mm 1.7 mm)形式。 四、MMLD47F隧道磁电阻(TMR)芯片典型应用 电流传感器 磁强计 地磁传感器 位置传感器 心动不如行动,赶紧拿起您手中的电话,选择我们的产品,只有您的满意,才是我们的宗旨!!! 欢迎广大新老顾客来电选购或咨询,多维科技欢迎您! 联系方式: 1. 服务电话:0512-56366222 2. 电话:0512...